EPC9018:開発基板

EPC Development Board

EPC9018:デューティ比が小さい用途向けの30 V
のハーフブリッジ開発基板

VDS(max), 30 V
ID(max RMS), 35 A
搭載した製品: EPC2015, EPC2023

EPC9018は、POL(負荷点)コンバータなど、大電流、高降圧比のアプリケーション向けのハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスの最大電圧30 V、最大出力電流35 AのEPC9018は、単一のハイサイド(制御用)FETとして40 Vの EPC2015、ローサイド(同期整流用)FET として30 Vの EPC2023、およびゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成です。

この開発基板は、面積2インチ×1.5インチで、最適なスイッチング特性のためのすべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。この最適なレイアウト技術は、電圧オーバーシュートやEMI(電磁干渉)雑音の低減と同時に、効率の向上に貢献します。

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EPC Development Board
* 最大電流は、チップの温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、熱の冷却にも依存します。
# ハイサイドのブートストラップ電源を「リフレッシュ」するために必要な時間に依存します。