EPC9048C: 200 V, 15 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板EPC9048Cは、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2034Cを搭載し、最大デバイス電圧200 V、最大出力電流15 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
The EPC9092 development board is 1.5” x 2” and contains two EPC2034C eGaN FETs in a half bridge configuration. As supplied, the high side gate drive uses a digital isolator and both FETs use the Texas Instruments UCC27611 gate driver.
To simplify the evaluation process of theEPC2034CGaN FET, all the critical components and layout for optimal switching performance are implemented. ビデオ：EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法