EPC9048C:開発基板

EPC9048C: 200 V, 15 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC9048Cの開発基板

開発基板EPC9048Cは、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2034Cを搭載し、最大デバイス電圧200 V、最大出力電流15 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。

The EPC9092 development board is 1.5” x 2” and contains two EPC2034C eGaN FETs in a half bridge configuration. As supplied, the high side gate drive uses a digital isolator and both FETs use the Texas Instruments UCC27611 gate driver.

To simplify the evaluation process of theEPC2034CGaN FET, all the critical components and layout for optimal switching performance are implemented. ビデオ:EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

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EPC9048C Parameters Table
(1) 最大入力電圧は誘導性負荷に依存するため、EPC2034Cではスイッチ・ノードの最大リンギングを200 V以下に維持する必要があります。
(2) Maximum current depends on die temperature – actual maximum current will be subject to switching frequency, bus voltage and thermal cooling may be lower or higher. Please see the EPC2034C datasheet for further information
(3) ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。