Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

eGaNドライバとコントローラ

eGaN® ® FETベースの電力変換システムは、Siベースの代替品に比べて、高い効率、高い電力密度、全体的なシステム・コストの低減が実現できます。これらの有利な特性は、eGaN FETの性能を最大限に引き出すゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品など、パワー・エレクトロニクス部品のエコシステムの拡大に拍車を掛けてきました。

台湾uPI Semiconductor米テキサス・インスツルメンツMicrochipなどの半導体サプライヤーは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaNの利用法04:設計の基本:ゲート駆動GaNの利用法04:設計の基本:ゲート駆動
このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。GaNトランジスタは一般に、パワーMOSFETのように動作しますが、はるかに高いスイッチング速度と電力密度が得られます。このビデオでは、最高の性能を実現するためにGaNトランジスタを駆動する方法に焦点を当てます。

 

互換性のあるローサイドのゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
UCC27611 米テキサス・インスツルメンツ社 4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ EPC9081
LMG1020米テキサス・インスツルメンツ社5 V、7 A / 5 Aで速度60 MHz / 1nsローサイドGaNドライバEPC9144
uP1964台湾のuPI Semiconductor社エンハンスメント・モードGaNトランジスタ向け単一チャネルのゲート・ドライバ---
IXD_604米IXYS社4 Aでデュアルのローサイド超高速ドライバ---
LMG1025-Q1米テキサス・インスツルメンツ社狭パルス用途向けの5 Vの UVLO付き車載用7-A / 5-Aシングル・チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ---
ADuM4120ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 A出力の単一チャネル絶縁型ドライバ ---
ADuM4121ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 Aの単一チャネル絶縁型ドライバ ---

互換性のあるハーフブリッジのゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
NCP51810 米オン・セミコンダクター社 GaNパワー・スイッチ向け150 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
NCP51820 米オン・セミコンダクター社 -3.5〜+650 V、調整可能なデッドタイム、デュアルLDO EPCに問い合わせ
LM5113米テキサス・インスツルメンツ社5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバEPC9078
LMG1205米テキサス・インスツルメンツ社1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバEPC9078
uP1966E 台湾のuPI Semiconductor社 eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ EPC9078
uP1966D 台湾のuPI Semiconductor社 デュアル入力PWMゲート・ドライバ ---
LMG1210米テキサス・インスツルメンツ社200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバEPCに問い合わせ
Si827xGB-IM米シリコン・ラボラトリーズ社絶縁型、自動車用、最大2.5 kVの絶縁、4A。プログラム可能なデッドタイム。
「GB」と「IM」の接尾辞を使います。
EPC9084
LMG5200米テキサス・インスツルメンツ社80 VのGaNハーフブリッジのパワー段LMG5200POLEVM-10
ADuM4221A 米アナログ・デバイセズ社 調整可能なデッドタイム、4 A出力を備えた絶縁型ハーフブリッジ・ドライバ ---

同期整流器に対応する互換性のあるコントローラ

型番 メーカー 概要 ゲート・ドライバ
UCD7138 米テキサス・インスツルメンツ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1993TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1995T オランダNXPセミコンダクターズ社 デュアル同期整流器用コントローラ 内蔵(デュアル)
TEA1998TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
NCP4305A 米オン・セミコンダクター社 2次側同期整流コントローラ 内蔵
NCP4306A米オン・セミコンダクター社同期整流器用コントローラ内蔵
NCP4308A米オン・セミコンダクター社同期整流器用コントローラ内蔵

バック・コンバータ向けの互換性のあるコントローラ

型番 メーカー 概要 動作周波数
dsPIC33CK32MP102米マイクロチップ・テクノロジー100 MHzのシングル・コア16ビットDSC最大100 MHz
NCP81111オン・セミコンダクターSVIDとI2Cインタフェース搭載VR12.56高速3相デジタル・コントローラ250 kHz − 5 MHz
LTC7800米アナログ・デバイセズ社低IQ、60 Vの高周波同期整流型降圧コントローラ320 kHz - 2.25 MHz
MIC2127A 米マイクロチップ・テクノロジー社 アダプティブ・オンタイム制御付き同期バック・コントローラ 270 kHz - 800 kHz
MIC2103/4 米マイクロチップ・テクノロジー社 アダプティブ・オンタイム制御付き同期バック・コントローラ 200 kHz - 600 kHz
LM5140-Q1 米テキサス・インスツルメンツ社 入力範囲が広いデュアル同期バック・コントローラ 440 kHz - 2.2 MHz
TPS40400 米テキサス・インスツルメンツ社 3 V~20 V、30 AのPMBus同期バック・コントローラ 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G 米テキサス・インスツルメンツ社 48VのGaNのDC/ DCコンバータ用ハーフブリッジD-CAP+コントローラ 300 kHz - 1 MHz
ISL8117Aルネサスエレクトロニクス同期降圧型PWMコントローラ100 kHz - 2 MHz
ISL81806ルネサスエレクトロニクス80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラ100 kHz - 2 MHz

高信頼アプリケーション向けの互換性のあるIC

型番 メーカー 概要 機能
FBS-GAM01P-C-PSEEPC Space単一出力のeGaNゲート・ドライバ・モジュールゲート・ドライバ
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 Vの耐放射線特性を強化した高速多機能Power eGaN® HEMTドライブHEMTドライバ
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V / 10 Aの耐放射線特性を強化した多機能パワー・モジュールパワー段
ISL70040SEHルネサスエレクトロニクス 耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバゲート・ドライバ