eGaNドライバとコントローラ

eGaN^® ® FETベースの電力変換システムは、Siベースの代替品に比べて、高い効率、高い電力密度、全体的なシステム・コストの低減が実現できます。これらの有利な特性は、eGaN FETの性能を最大限に引き出すゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品など、パワー・エレクトロニクス部品のエコシステムの拡大に拍車を掛けてきました。

台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、Microchipなどの半導体サプライヤーは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaNの利用法04：設計の基本：ゲート駆動
このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。GaNトランジスタは一般に、パワーMOSFETのように動作しますが、はるかに高いスイッチング速度と電力密度が得られます。このビデオでは、最高の性能を実現するためにGaNトランジスタを駆動する方法に焦点を当てます。