eGaNドライバとコントローラ

eGaN^® ® FETベースの電力変換システムは、Siベースの代替品に比べて、高い効率、高い電力密度、全体的なシステム・コストの低減が実現できます。これらの有利な特性は、eGaN FETの性能を最大限に引き出すゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品など、パワー・エレクトロニクス部品のエコシステムの拡大に拍車を掛けてきました。

台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米pSemi（村田製作所の傘下）などの半導体サプライヤーは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaNの利用法04：設計の基本：ゲート駆動
このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。GaNトランジスタは一般に、パワーMOSFETのように動作しますが、はるかに高いスイッチング速度と電力密度が得られます。このビデオでは、最高の性能を実現するためにGaNトランジスタを駆動する方法に焦点を当てます。

互換性のあるローサイドのゲート・ドライバ

型番	メーカー	概要	応用例
UCC27611	米テキサス・インスツルメンツ社	4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ	EPC9081
LMG1020	米テキサス・インスツルメンツ社	5 V、7 A / 5 Aで速度60 MHz / 1nsローサイドGaNドライバ	EPC9144
uP1964	台湾のuPI Semiconductor社	エンハンスメント・モードGaNトランジスタ向け単一チャネルのゲート・ドライバ	---
IXD_604	米IXYS社	4 Aでデュアルのローサイド超高速ドライバ	---
LMG1025-Q1	米テキサス・インスツルメンツ社	狭パルス用途向けの5 Vの UVLO付き車載用7-A / 5-Aシングル・チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ	---
ADuM4120ARIZ	米アナログ・デバイセズ社	2 A出力の単一チャネル絶縁型ドライバ	---
ADuM4121ARIZ	米アナログ・デバイセズ社	2 Aの単一チャネル絶縁型ドライバ	---

互換性のあるハーフブリッジのゲート・ドライバ

型番	メーカー	概要	応用例
NCP51810	米オン・セミコンダクター社	GaNパワー・スイッチ向け150 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ	EPCに問い合わせ
NCP51820	米オン・セミコンダクター社	-3.5〜+650 V、調整可能なデッドタイム、デュアルLDO	EPCに問い合わせ
LM5113	米テキサス・インスツルメンツ社	5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ	EPC9078
LMG1205	米テキサス・インスツルメンツ社	1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバ	EPC9078
uP1966A	台湾のuPI Semiconductor社	eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ	EPC9078
uP1966D	台湾のuPI Semiconductor社	デュアル入力PWMゲート・ドライバ	---
PE29102	pSemi	高速FETドライバ、40 MHz	EPC9204
PE29101	pSemi	高速FETドライバ、40 MHz	EPCに問い合わせ
LMG1210	米テキサス・インスツルメンツ社	200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバ	EPCに問い合わせ
Si827xGB-IM	米シリコン・ラボラトリーズ社	絶縁型、自動車用、最大2.5 kVの絶縁、4A。プログラム可能なデッドタイム。「GB」と「IM」の接尾辞を使います。	EPC9084
LMG5200	米テキサス・インスツルメンツ社	80 VのGaNハーフブリッジのパワー段	LMG5200POLEVM-10
ADuM4221A	米アナログ・デバイセズ社	調整可能なデッドタイム、4 A出力を備えた絶縁型ハーフブリッジ・ドライバ	---

同期整流器に対応する互換性のあるコントローラ

型番	メーカー	概要	ゲート・ドライバ
UCD7138	米テキサス・インスツルメンツ社	同期整流器用コントローラ	内蔵
TEA1993TS	オランダNXPセミコンダクターズ社	同期整流器用コントローラ	内蔵
TEA1995T	オランダNXPセミコンダクターズ社	デュアル同期整流器用コントローラ	内蔵（デュアル）
TEA1998TS	オランダNXPセミコンダクターズ社	同期整流器用コントローラ	内蔵
NCP4305A	米オン・セミコンダクター社	2次側同期整流コントローラ	内蔵
NCP4306A	米オン・セミコンダクター社	同期整流器用コントローラ	内蔵
NCP4308A	米オン・セミコンダクター社	同期整流器用コントローラ	内蔵

バック・コンバータ向けの互換性のあるコントローラ

型番	メーカー	概要	動作周波数
dsPIC33CK32MP102	米マイクロチップ・テクノロジー	100 MHzのシングル・コア16ビットDSC	最大100 MHz
NCP81111	オン・セミコンダクター	SVIDとI2Cインタフェース搭載VR12.56高速3相デジタル・コントローラ	250 kHz − 5 MHz
LTC7800	米アナログ・デバイセズ社	低IQ、60 Vの高周波同期整流型降圧コントローラ	320 kHz - 2.25 MHz
MIC2127A	米マイクロチップ・テクノロジー社	アダプティブ・オンタイム制御付き同期バック・コントローラ	270 kHz - 800 kHz
MIC2103/4	米マイクロチップ・テクノロジー社	アダプティブ・オンタイム制御付き同期バック・コントローラ	200 kHz - 600 kHz
LM5140-Q1	米テキサス・インスツルメンツ社	入力範囲が広いデュアル同期バック・コントローラ	440 kHz - 2.2 MHz
TPS40400	米テキサス・インスツルメンツ社	3 V～20 V、30 AのPMBus同期バック・コントローラ	200 kHz - 2 MHz
TPS53632G	米テキサス・インスツルメンツ社	48VのGaNのDC/ DCコンバータ用ハーフブリッジD-CAP+コントローラ	300 kHz - 1 MHz
ISL8117A	ルネサスエレクトロニクス	同期降圧型PWMコントローラ	100 kHz - 2 MHz
ISL81806	ルネサスエレクトロニクス	80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラ	100 kHz - 2 MHz

高信頼アプリケーション向けの互換性のあるIC

型番	メーカー	概要	機能
FBS-GAM01P-C-PSE	EPC Space	単一出力のeGaNゲート・ドライバ・モジュール	ゲート・ドライバ
FBS-GAM02P-C-PSE	EPC Space	50 Vの耐放射線特性を強化した高速多機能Power eGaN^® HEMTドライブ	HEMTドライバ
FBS-GAM02-P-R50	EPC Space	50 V / 10 Aの耐放射線特性を強化した多機能パワー・モジュール	パワー段
ISL70040SEH	ルネサスエレクトロニクス	耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバ	ゲート・ドライバ