EPC2010C:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 22 A
パルス ID, 90 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2010C Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:3.6 mm × 1.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • 高周波のハード・スイッチングとソフト・スイッチング
  • D級オーディオ
  • LiDAR(光による検出と距離の測定)/パルス化したパワーの用途

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
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