EPC2012C:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 100 mΩ
ID, 5 A
パルス ID, 22 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2012C Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:1.7 mm × 0.9 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • D級オーディオ
  • ワイヤレス・パワー伝送

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
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