EPC2022:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 3.2 mΩ
ID, 90 A
パルス ID, 390 A
TJ150°C
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2022 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:6.05 mm × 2.3 mm

アプリケーション

  • 高周波DC-DC変換
  • モーター駆動
  • 産業オートメーション
  • 同期整流
  • 突入保護
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
  • 低 RDS(on):大電流動作
ステータス:生産中
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