EPC2030:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 2.4 mΩ
ID, 48 A
パルス ID, 490 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2030 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:4.6 mm x 2.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • POL(負荷点)コンバータ
  • 同期整流

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
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