EPC2035:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 60 V
RDS(on), 45 mΩ
ID, 1.7 A
パルス ID, 24 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2035 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:0.9 mm x 0.9 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • ワイヤレス・パワー伝送
  • LiDAR(光による検出と距離の測定)/パルス化したパワーの用途

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか?
GaNエキスパートに聞く