EPC2045:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 7 mΩ
ID, 16 A
パルス ID, 130 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2045 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:2.5 mm x 1.5 mm

アプリケーション

  • オープン・ラック・サーバー・アーキテクチャ(48 VIN)
  • 48 V入力、12 V出力の絶縁型電源
  • POL(負荷点)コンバータ
  • USB-C
  • D級オーディオ
  • LED照明
  • E-モビリティー
  • 低インダクタンスのモーター駆動

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか?
GaNエキスパートに聞く

GaNは、シリコンを上回る特性で、もう1つの飛躍的な進歩を遂げます