EPC2050: 350 V, 26 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

VDS, 350 V
RDS(on), 65 mΩ
ID, 6.3 A
パルス ID, 26 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2050 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:1.95 mm x 1.95 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • Multi-level AC-DC Power Supplies
  • (H)EV Charging
  • Solar Power Inverters
  • Wireless Power Class-E Amplifiers
  • LED Lighting
  • Medical Imaging

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。
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