EPC2052: 100 V, 74 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 13.5 mΩ
ID, 8.2 A
パルス ID, 74 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2052 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:1.5 mm x 1.5 mm

アプリケーション

  • 48 Vのサーバー
  • Lidar/パルス化した電力
  • 絶縁型電源
  • POL(負荷点)コンバータ
  • D級オーディオ
  • LED照明
  • 低インダクタンスのモーター駆動

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
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