EPC2059: 170 V, 102 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 170 V
RDS(on), 6.8 mΩ
ID, 24 A
パルス ID, 102 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2059 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:2.8 mm x 1.4 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • Lidar/パルス化した電力
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか?
GaNエキスパートに聞く