EPC2070:エンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 23 mΩ
ID, 1.7 A
パルス ID, 34 A

EPC2070 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:1.3 mm x 0.85 mm

アプリケーション

  • 高周波DC-DCコンバータ
  • カメラ・モジュール向けの垂直共振器型面発光レーザーVSCELを使った飛行時間ToFモジュール、ノート・パソコン、スマートフォン
  • Lidar/パルス化した電力
  • 低インダクタンスのモーター駆動
  • D級オーディオ
  • LED照明

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:アクティブ
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