EPC2100: エンハンスメント・モードGaNパワー・
トランジスタのハーフブリッジ

VDS, 30 V
RDS(on),
8.2 mΩ (Q1, 制御用 FET),
2.1 mΩ (Q2, 同期整流用 FET)
ID, 10 A (Q1), 40 A (Q2)
パルス ID,100 A (Q1), 400 A (Q2)
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2100 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:6.05 mm × 2.3 mm

電子製品の受賞者
「プロダクト・オブ・ザ・イヤー」賞

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • POL(負荷点)コンバータ

特徴

  • 高いスイッチング周波数: 低いスイッチング損失、低い寄生インダクタンス、低い駆動電力
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失が小さい、逆回復損失がゼロ
  • 実装面積が小さい: 電力密度が高い
ステータス:生産中
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