PC2105: エンハンスメント・モードGaNパワー・
トランジスタのハーフブリッジ

VDS, 80 V
RDS(on),
14.5 mΩ (Q1, 制御用 FET),
3.6 mΩ (Q2, 同期整流用 FET)
ID, 10 A (Q1), 40 A (Q2)
パルス ID,70 A (Q1), 300 A (Q2)
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2105 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:6.05 mm × 2.3 mm

アプリケーション

  • 高周波DC-DC変換

特徴

  • 高いスイッチング周波数: 低いスイッチング損失、低い寄生インダクタンス、低い駆動電力
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失が小さい、逆回復損失がゼロ
  • 実装面積が小さい: 電力密度が高い
ステータス:生産中
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