EPC2110:Dual Enhancement Mode GaN Power Transistor

VDS, 120 V
Dual FET, Common Source
RDS(on), 110 mΩ
ID, 3.4 A
パルス ID, 20 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2110 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:1.35 mm x 1.35 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • ワイヤレス・パワー伝送
  • 同期整流

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: 低いスイッチング損失、低い寄生インダクタンス、低い駆動電力
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 高い電力密度、低インダクタンスのパッケージ
ステータス:生産中
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