EPC2215: 200 V, 162 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 8 mΩ
ID, 32 A
パルス ID, 162 A

EPC2215 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ: 4.6 mm x 1.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • マルチレベルのAC-DC電源
  • ワイヤレス・パワー
  • 太陽光発電用マイクロインバータ
  • ロボット
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
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