EPC7014:放射線耐性エンハンスメント・モードのパワー・トランジスタ

VDS, 60 V
RDS(on), 340 mΩ
ID, 2.4 A
パルス ID, 4 A
95%Pb/5%Snはんだ

EPC7014 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:0.9 mm x 0.9 mm

アプリケーション

  • 商用衛星の電力系と運航電子機器
  • 深宇宙探査機
  • 高周波放射線耐性DC-DC変換
  • 放射線耐性モーター駆動

特徴

  • 超高効率
  • 超低ゲート電荷
  • 超小型の実装面積
  • 軽量
  • 全線量
    • 定格 > 1 Mrad
  • 単一イベント
    • 定格ブレークダウンの 100% までの VDS で 85 MeV/(mg/cm2) の線エネルギー付与LET に対する SEE 耐性
  • 中性子
    • 最大3✕1015の中性子/ cm2の前放射線仕様を維持
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。
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