EPC8010:エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ
高速に、 もっと速く

VDS, 100 V
RDS(on), 160 mΩ
ID, 4 A
パルス ID, 7.5 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC8010 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:2.05 mm x 0.85 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • RF包絡線追跡(Envelope Tracking)
  • ワイヤレス・パワー伝送
  • ゲーム機や工業用動き検出(LiDAR

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:生産中
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