EPC GaN Integrated Circuits

GaN集積回路

窒化ガリウム(GaN)が電力変換システムの性能に貢献する最大の強みは、電力レベルと信号レベルの両方のデバイスを同じチップ上に統合することができるという本質的な属性から来ています。

EPCの最初の商用GaN ICは、モノリシックのハーフブリッジ・デバイスの形で2014年に登場しました。この技術が進歩するにつれて、EPC2115のようなより複雑な集積化デバイスが市場に登場し始めました。この製品には、2個のパワー・トランジスタとドライバ回路が搭載されており、低電力ロジック・ゲートで駆動すると、最高7 MHzで高効率な動作が可能になります。

次に、モノリシックのパワー段を作成するために、ドライバとレベルシフト回路を組み込んだモノリシック・ハーフブリッジの製品化が計画されています。このICでは、最高クラスの性能とアプリケーション専用の機能を備えた一連のモノリシック・パワー段製品が続くので、電力変換に新時代の到来を告げるでしょう。

やがて、GaNオン・シリコンの性能とコストの利点によって、現在、シリコン・ベースのデバイスを使っている大部分の用途において、より小さく、より速く、より安価で、より信頼性の高いGaN技術に変換されています。GaN ICの詳細については、GaN ICファクト・シートを請求してください

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