EPC GaN Integrated Circuits

GaN集積回路

窒化ガリウム(GaN)が電力変換システムの性能に貢献する最大の強みは、電力レベルと信号レベルの両方のデバイスを同じチップ上に統合することができるという本質的な属性から来ています。

EPCの最初の商用GaN ICは、モノリシックのハーフブリッジ・デバイスの形で2014年に登場しました技術が進歩するにつれて、2個のパワー・トランジスタとドライバ回路を搭載した製品や、低電力論理ゲートによって駆動されたときに最大7 MHzまで高効率な動作が可能な製品など、より複雑な統合品が市場に登場し始めました。

次に、2020年に、モノリシック・パワー段を構成するために、ドライバとレベル・シフト回路を組み込んだモノリシック・ハーフブリッジを製品化しました。このIC、EPC2152の後には、最高クラスの性能とアプリケーション固有の機能を備えたモノリシック・パワー段製品のシリーズが続き、電力変換の新時代の到来を告げます

数年以内に、ディスクリート技術が集積回路に統合されるでしょう。ディスクリート・デバイスがますます高い電力密度を達成するにつれて、デバイスのバンプやバーに出入りする電流を抽出できなくなります。したがって、小型、マルチチップ、多機能集積回路への統合が必要になります。今後数年以内に、電力変換におけるディスクリート・トランジスタの老朽化が遅くなり、統合ソリューションは、設計者がパワー・システムを構築するときに選択する部品となるでしょう。

GaNに統合すると、システムが、さらに高速かつ小型になります!

EPCは、ユーザーがソリューションをぴったり合わせられるようにするカスタム・レベルの統合を提供します。カスタムGaNソリューションの要件については、[email protected]までお問い合わせください。

EPCのeGaNデバイスの完全なリストについては、完全なセレクタ・ガイドを参照してください。

ICセレクタ・ガイド

型番 構成 機能 VPWR
(V)
IOUT
(A)
ピーク
IOUT
(A)
VDD
(V)
入力論理
最高周波数
(MHz)
UVLO
(V)
パッケージ
(mm)
デモ・ボード eGaNFET
の購入
EPC21601 シングル レーザドライバーeTOF™パワーステージ 40 3.4 10 5 3.3 V 200 0 BGA 1 x 1.5 購入
EPC21603 シングル レーザドライバーeTOF™パワーステージ 40 3.7 10 5 LVDS 200 0 BGA 1 x 1.5 購入
EPC2152 ハーフブリッジ 構成ePower™パワーステージ 80 15 12 3.3 V 3 7.5 LGA 3.9 x 2.6 購入