eGaN FETの使い方は、現在のパワーMOSFETと非常に類似しています。ただし、特性が非常に優れているので、特定のデバイスを効率的かつ信頼性高く利用するために、設計とテストの更なる考察が必要です。
EPCのeGaNのFETと集積回路は、パワー半導体をパッケージングするために、非常に異なるアプローチを取ってきました。すなわち、パッケージを一掃しました。EPCの革新的なウエハー・レベルのチップスケール・パッケージによって、電力密度の最先端技術が可能になりました。
GaNトランジスタが提供するスイッチング速度の高速化には、優れた測定技術と、高速波形の重要な詳細を把握するための優れた技術が必要です。このアプリケーション・ノートでは、高性能GaNトランジスタを正確に評価するために、ユーザーの要求と測定技術に対して、測定機器をどのように活用するかについて焦点を当てています。
このアプリケーション・ノートでは、大電流出力が必要なアプリケーションにおける高速GaNトランジスタの並列化について説明します。ここでは、回路内の寄生成分が特性に及ぼす影響について説明し、高速GaNトランジスタの並列特性を改善するためのプリント回路基板のレイアウト法を提案します。
窒化ガリウム・ベースのトランジスタやICによって、パワー・コンバータの設計者は、出力の大電力化、高効率化、高電力密度化の達成に向けた道筋が見えてきます。このアプリケーション・ノートは、電力変換システムの設計者が窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価できるように設計されたeGaN FETモジュールについて説明します。
While the thermal performance of traditional silicon MOSFETs is well understood, measuring the thermal performance of eGaN FETs requires some further explanation. This Applications Note investigates the testing method and results of thermal resistance measurements on eGaN FETs.
パワー・トランジスタの基本的な制限要因は温度です。動作中のデバイス温度の計算では、電力消費がデバイスのアクティブ領域全体に均等に分布していると仮定していますが、常にそうであるとは限りません。一部の技術の特定のパラメータが負の温度係数なので、小さな領域に電流が集中し、局所的な温度を、故障するまで押し上げる可能性があります。
An accurate circuit and device model is a valuable tool for developing new topologies, building successful designs, and shortening time to market. This article describes the status and use of EPC device models, and illustrates some important considerations when incorporating EPC eGaN devices into a circuit model.
The EPC GaN transistors generally behave like n-channel power MOSFETs. Common curve tracers, parametric analyzers, and automatic discrete device parametric testers that are used for an n-channel power MOSFET will be applicable for the characterization of GaN transistors. This applications note provides guidelines to characterize DC parameters using Tektronix 576 curve tracer, Keithley 238 parametric analyzer, TESEC 881-TT/A discrete device test system.
A detailed description of the EPC enhancement mode transistors and integrated circuits physical characteristics is given including the visual criteria all devices must meet before they are released for shipment to customers.
このホワイト・ペーパーでは、最適化の問題[1]の調査を続け、eGaN FETおよびMOSFETのシステム効率に対するデッドタイムの影響を調べます。
In this white paper the die size optimization process for selecting the eGaN FET optimal on-resistance is discussed and an example application is used to show specific results. Since ‘optimum’ means different things to different people, this process is aimed at maximizing switching device efficiency at a given load condition.
このホワイト・ペーパーでは、eGaN FETベースのPOL（負荷点）バック（降圧型）・コンバータ用のプリント回路基板レイアウトの最適化を検討し、従来の設計と比較し、さらに寄生成分を低減するための新しい最適なレイアウトを提案します。
eGaN|FETなどのエンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・デバイスは、シリコンMOSFETで可能な特性よりも高い効率と高いスイッチング周波数を実現可能なことが、これまでに公開された論文のさまざまなアプリケーションで実証されています |[1]~[4]。eGaN|FETによるスイッチングの性能指数FOM（figure|of|merit）の改善によって、パッケージの寄生成分とプリント回路基板のレイアウトの寄生成分が、高性能化にとって重要になります。
eGaN FET は、スイッチング速度が非常に高速なので、シリコンの対応品とは異なります。このため、ゲート駆動、レイアウト、および熱管理に異なる要件があり、すべてが相互に作用します。
このホワイト・ペーパーでは、eGaN FETの基本的な電気的特性について説明し、シリコンMOSFETと比較します。この2つの技術の間の類似点と相違点を深く理解することは、私たちが既存の電力変換システムを、どれくらい改善することができるかを理解するために必要な基礎です。