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記事
05/2017: GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers
GaN FET がD級オーディオ・アンプのフィデリティと効率を改善
05/2017: GaN Power Stage for Switch Mode Audio Amplification
スイッチ・モードのオーディオ・アンプ向けGaNパワー段
05/2017: 48V-to-1V Conversion - the Rebirth of Direct-to-Chip Power
48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活
05/2017: How2 Cut The Power Cord: Wireless Power Is Ready For Prime Time
どうやって電源コードを切断するか:ワイヤレス・パワーがプライムタイムの準備整う
03/2017: GaN-on-Silicon Power Devices: How to Dislodge Silicon-Based Power MOSFETs
03/2017: How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs
GaNパワー・トランジスタが高性能Lidarを駆動する方法:GaN FETで超高速パルス電力を発生
02/2017: How we devised a wirelessly powered television set
無線で電力供給するテレビを、どうやって考え出したか
02/2017: GaN is Eyeing Silicon’s Data Center Lunch
GaNがシリコンのデータセンターのランチをじろじろ見る
01/2017: The Tech Blog Writer Podcast #180: Why Gallium Nitride Is About to Disrupt Silicon
英Tech Blog Writerのポッドキャスト180:窒化ガリウムがシリコンを崩壊させようとしている理由
01/2017: Podcast: Bloomberg Radio Interview with Alex Lidow at CES 2017
ポッドキャスト:米Bloomberg RadioがCES 2017でAlex Lidowにインタビュー
11/2016: eGaN
®
Technology Reliability and Physics of Failure - Gate Voltage Stress Reliability
eGaN技術の信頼性と故障の物理:ゲート電圧ストレスの信頼性
10/2016: Improving Thermal Performance with Chip–Scale Packaged Gallium Nitride Transistors
チップスケール・パッケージ封止の窒化ガリウム・トランジスタで熱特性を改善
07/2016: eGaN
®
Technology Reliability and Physics of Failure - Stress Test Qualification and Capability
eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目
06/2016: Comparing Dead-time Losses for eGaN FETs and Silicon MOSFETs in Synchronous Rectifiers
eGaN対シリコン:同期整流器においてeGaN FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失を比較
06/2016: Improving Thermal Performance with Chip–Scale Packaged Gallium Nitride Transistors
eGaN対シリコン:同期整流器においてeGaN FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失を比較
05/2016: eGaN
®
Technology Reliability and Physics of Failure - Examining eGaN Field Reliability
eGaN技術の信頼性と故障の物理:eGaNのフィールド信頼性を試験
03/2016: eGaN
®
Technology Reliability and Physics of Failure - Introduction to GaN Reliability
eGaN技術の信頼性と故障の物理:GaNの信頼性の概要
03/2016: Thoughtful Board Design Unlocks the Promise of GaN
思慮に富んだ基板設計は、GaNの可能性の鍵を開けます
03/2016: 20 MHz Bandwidth Envelope Tracking Power Supply Using eGaN
®
FETs
eGaN FET搭載の帯域幅20 MHzの包絡線追跡電源
02/2016: WiGaN - Radiated EMI Filter Design for an eGaN
®
FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer
WiGaN - 6.78MHzのワイヤレス・パワー伝送におけるeGaN FETベースのZVSのD級アンプ用放射EMIフィルタ設計
01/2016: Getting from 48 V to load voltage
48Vから負荷電圧を得る
12/2015: 'Tis the season to be wasteful
浪費のシーズン
11/2015: How to get 500W in an eighth-brick converter with GaN, part 1
GaNの1/8ブリック・コンバータで500Wを実現する方法、パート1
08/2015: Single Amplifier for a Multi-mode Capable Wireless Power System
マルチモード動作が可能なワイヤレス・パワー・システム向け単一アンプ
08/2015: Practical Layout Techniques to Fully Extract the Benefits of eGaN
®
FETs
eGaN FETの利点を完全に活用するための実践的なレイアウト技術
07/2015: New Chips Provide a Spark for Wireless Charging
新しい半導体チップが無線充電の火付け役になります
06/2015: Why Consolidation In The Chip Industry Matters To You
半導体チップ業界での統合が、なぜ問題になるのか
04/2015: Moore’s Law Is Dead. Long Live Moore’s Law.
ムーアの法則は死んだ。ムーアの法則よ永遠なれ。
04/2015: Move over, silicon. Gallium nitride chips are taking over
シリコンを押しのけ、窒化ガリウム・チップが引き継ぐ
03/2015: GaN FET module performance advantage over silicon
GaN FETモジュールの特性はシリコンを超える
02/2015: Advancing power supply solutions through the promise of GaN
GaNの可能性による電源ソリューションの進展
02/2015: Where is GaN Going?
GaNは、どこへ行くのか?
02/2015: The Semiconductor Revolutionary
半導体革命
01/2015: GaN technology will transform the future
GaN技術が未来を変える
12/2014: How to GaN: Improving Electrical and Thermal Performance
GaNの利用法:電気的特性と熱特性を改善する
12/2014: Panasonic breathes new life into Technics – features GaN for high speed switching
パナソニック、テクニクスに新たな息吹を吹き込む: 高速スイッチング用GaNを搭載
12/2014: Profiles in Design: Alex Lidow, Ph.D.
設計のプロフィール:Alex Lidow博士
11/2014: WiGaN: eGaN
®
FETs in Wide Load Range High Efficiency Wireless Power
WiGaN:広い負荷範囲で高効率のワイヤレス・パワーにおけるeGaN FET
11/2014: How to measure the world's fastest power switch
世界最高速のパワー・スイッチを測定する方法
10/2014: How to GaN: Generation 4 eGaN FETs – Widening the Performance Gap with the Aging MOSFET
GaNの利用法:第4世代eGaN FET ―― 成熟したMOSFETとの特性の差を広げる
08/2014: WiGaN: eGaN
®
FETs for Hard-Switching Converters at High Frequency
WiGaN:高周波でのハード・スイッチング・コンバータ用eGaN
®
FET
07/2014: Development Boards Make Evaluating eGaN FETs Simple
開発基板がeGaN FETの評価を単純化
07/2014: EPC: GaN Ambition
EPC:GaNの野望
07/2014: GaN: Primed for Power
GaN:パワーのために準備
06/2014: How to GaN: Simplifying Design and Increasing Efficiency with DrGaN
PLUS
GaNの利用法:DrGaNrGaN
PLUS
で設計を単純化し効率を改善
06/2014: GaN – Moving Quickly into Entirely New Markets
GaN:まったく新しい市場にすばやく移行
05/2014: How To GaN: eGaN
®
FETs for Class A RF Amplifiers
GaNの利用法:A級RFアンプ向けeGaN FET
05/2014: Power Conversion: The End of the Road for Silicon
電力変換:シリコンの道は行き止まり
05/2014: Performance Evaluation of Enhancement-Mode GaN Transistors in Class-D and Class-E Wireless Power Transfer Systems
D級およびE級のワイヤレス・パワー伝送システムにおけるエンハンスメント・モードGaNトランジスタの特性評価
04/2014: How To GaN: Paralleling High Speed eGaN
®
FETS for High Current Applications
GaNの利用法:大電流用途向け高速eGaN® FETの並列接続
03/2014: Comparison of Silicon Versus Gallium Nitride FETs for the Use in Power Inverters for Brushless DC Servo Motors
ブラシレスDCサーボ・モーター用パワー・インバータでの利用に対するシリコンと窒化ガリウムFETの比較
02/2014: How To GaN: eGaN
®
FETS in High Performance Class-D Audio Amplifiers
GaNの利用法:高性能D級オーディオ・アンプにおけるeGaN
®
FET
02/2014: GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time
GaN:さらに、1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する
01/2014: {PODCAST} Paultre on Power - State of the GaN marketplace
Paultre氏が語る GaN市場の現状(POD CAST)
01/2014: How To GaN: eGaN
®
FETs for High Frequency Wireless Power Transfer
GaNの利用法 無線電力伝送
12/2013: How To GaN: eGaN
®
FETs for High Frequency Switching
高速スイッチング用途
11/2013: Package Considerations for High Frequency Power Conversion Devices
高周波電力変換デバイスにおけるパッケージ考察
10/2013:How to GaN: eGaN FETs in Hard Switching Intermediate Bus Converters
GaNの利用法:ハードスイッチングの中間バスコンバータにおけるeGaN FET
10/2013:Enhancing the inefficiency of an RF power amp: The envelope tracking (ET) system
RFパワーアンプアプリケーション:エンベロープトラッキング(ET)システム
09/2013:How To GaN: eGaN FETs in High Frequency Buck Converters
GaNの利用法:高周波バックコンバータにおけるeGaN FET
09/2013: GaN In Power Electronics Applications
パワーエレクトロニクスにおけるGaN利用
08/2013:How To GaN: Driving eGaN FETs and Layout Considerations
GaNの利用法:eGaN FETの駆動とレイアウト考察
07/2013:How To GaN: Enhancement Mode GaN Transistor Electrical Characteristics
GaNの利用法:エンハンスメントモードGaNトランジスタの電気的特性
06/2013:GaN Power Devices Transition To Production Phase
GaNパワーデバイスが量産段階に移行
06/2013:Delivering Efficient Power Conversion with Package-Free HEMTs
斬新なパッケージでのHEMT構造による高効率電力変換
06/2013:The New Silicon: EPC’s CEO on Why Gallium Nitride Will Be the Future of Power Management Devices
新しいシリコン:なぜ窒化ガリウムがパワーマネジメントデバイスの未来になるだろうか、について語る EPC社CEO
06/2013:How To GaN: Introduction to Gallium Nitride (GaN) Transistor Technology
GaNの利用法:窒化ガリウム(GaN)トランジスタ技術の紹介
05/2013:Exploring gallium nitride technology
窒化ガリウム技術の調査
03/2013:Highly Resonant Wireless Power Transfer System Teardown
共鳴型ワイヤレス電力伝送システムを分解
03/2013:eGaN FETs improve performance in Industrial POL Converters
eGaN FETが産業用途POLコンバータの特性を改善
03/2013:Si vs. GaN vs. SiC: Which process and supplier are best for my power supply design?
Si 対 GaN 対 SiC:私の電源設計に、どのプロセス、どのサプライヤが最適ですか?
03/2013:{PODCAST} Paultre on Power - Power GaN
{PODCAST}Paultre氏が語る パワーGaN
01/2013:Vendor Positions in the High Voltage GaN Commercialization Race
高耐圧GaNの商業化レースにおける各ベンダーの位置づけ
01/2013:Low Cost GaN e-mode Transistors and Diodes
低価格GaN エンハンスメントモードトランジスタとダイオード
01/2013:Enhancement Mode GaN Making Wireless Power Transmission More Efficient
エンハンスメントモードGaNによる、高効率なワイヤレス電力伝送
12/2012:Gan-on-Si Based FETs Foster New Applications
Gan-on-SiベースのFETが新しいアプリケーションを育成
12/2012:nPower PEG Uses eGaN Technology from EPC to Charge Mobile Devices from People-PowernPower
PEG社は、People-Power社の携帯型充電器に、EPCのeGaN技術を採用
09/2012:Gallium Nitride Transistor Packaging Advances and Thermal Modeling
窒化ガリウムトランジスタのパッケージの進歩とサーマルモデリング
07/2012:Are GaN Transistors Ready for Prime Time in Power Conversion
GaNトランジスタは電力変換アプリケーションにおいて実用化できるか
06/2012:Eighth Brick DC-DC Converter
1/8ブリックDC-DCコンバータ
06/2012:Test Equipment Must Keep Pace with New High Power Semiconductor Developments
新しい大電力半導体の開発に伴って各種試験装置も開発されます
06/2012:Characterizing High Power Semiconductors Requires New Technologies
パワー半導体のキャラクタライゼーションには新しい技術が必要
03/2012:{VIDEO} Market Adoption of Enhancement Mode Gallium Nitride Transistors
{ビデオ}エンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタ 市場での受け入れ
02/2012:{VIDEO} How Enhancement Mode Gallium Nitride Transistors Work
{ビデオ}エンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタの動作
12/2011:Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency
窒化ガリウム素材のデバイスが電力効率を高める
09/2011:{VIDEO} An Interview with CEO, Alex Lidow
{ビデオ}Alex Lidow(アレックス・リドウ)(CEO)へのインタビュー
09/2011:How2 Get from AC to Below 1 V with eGaN FETs
eGaN FETを使って交流電源から1V以下を得る方法
09/2011:Notebook DC-DC Converter Design
ノートパソコン用DC-DCコンバータの設計
09/2011:Gate drive design for eGaN FETs
eGaN FET用ゲート駆動回路の設計
06/2011:Industry’s first eGaN FET Driver Simplifies Switching Design
業界初のGaN FET用ドライバがスイッチングデザインを簡略化
03/2011: Shrink System Size with a 19 V – 1.2 V Buck Converter Using eGaN FETs
eGaN FETを使う19Vから1.2Vへのバック・コンバータでシステム・サイズを小型化
02/2011:An interview with Alex Lidow on GaN Developments
GaN開発についてAlex Lidow(アレックス・リドウ)に聞く
11/2010:High Step-Down Ratio Buck Converters with eGaN Devicese
GaNデバイスを使った降圧比の高いバックコンバータ設計
11/2010:Driving eGaN FETs
GaN FETの駆動
10/2010:{VIDEO} Interview with CEO Alex Lidow
{ビデオ}Alex Lidow(アレックス・リドウ)CEOに聞く
10/2010:How2 Understand eGaN Transistor Reliability
eGaNトランジスに関する信頼性
06/2010:GaN - the New Frontier for Power Conversion
GaN:電力変換の新しいフロンティア
03/2010:Enhancement Mode Gallium Nitride Transistor Delivers Impressive Performance
エンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタによる卓越した特性
02/2010:Can Gallium Nitride Replace Silicon?
窒化ガリウムは、シリコンを置き換えられるか?
パワーエレクトロニクス技術eGaN
®
FET:シリコンパワー・シュートアウトシリーズ
Volume 1:性能指数FOM(Figure of Merit)の比較
Volume 2:ドライバ、レイアウト
Volume 3:PoE(Power over Ethernet)
Volume 4:絶縁型ブリックコンバータ
Volume 5.1:eGaN FETの並列接続
Volume 5.2:eGaN FETの並列接続
Volume 6:PoE(Power over Ethernet)、PSE(Power Sourcing Equipment)
Volume 7:バックコンバータ
Volume 8:エンベロープトラッキング(ET:Envelope Tracking)
Volume 9:ワイヤレスパワーコンバータ
Volume 10:高周波共振コンバータ
Volume 11:FETのオン抵抗の最適化
Volume 12:デッドタイムの最適化
Volume 13.1:特性への寄生要素の影響
Volume 13.2:最適なプリント回路基板レイアウト
Volume 14:eGaN FETの小信号RF特性
eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: A Retrospective of Sixteen Articles(eGaN FET:シリコンパワー・シュートアウト:16本の過去関連記事)