記事

• 05/2017: GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers
  GaN FET がD級オーディオ・アンプのフィデリティと効率を改善
• 05/2017: GaN Power Stage for Switch Mode Audio Amplification
  スイッチ・モードのオーディオ・アンプ向けGaNパワー段
• 05/2017: 48V-to-1V Conversion - the Rebirth of Direct-to-Chip Power
  48 Vから1 Vへの変換：ダイレクト・ツー・チップ電源の復活
• 05/2017: How2 Cut The Power Cord: Wireless Power Is Ready For Prime Time
  どうやって電源コードを切断するか：ワイヤレス・パワーがプライムタイムの準備整う
• 03/2017: GaN-on-Silicon Power Devices: How to Dislodge Silicon-Based Power MOSFETs
  
• 03/2017: How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs
  GaNパワー・トランジスタが高性能Lidarを駆動する方法：GaN FETで超高速パルス電力を発生
• 02/2017: How we devised a wirelessly powered television set
  無線で電力供給するテレビを、どうやって考え出したか
• 02/2017: GaN is Eyeing Silicon’s Data Center Lunch
  GaNがシリコンのデータセンターのランチをじろじろ見る
• 01/2017: The Tech Blog Writer Podcast #180: Why Gallium Nitride Is About to Disrupt Silicon
  英Tech Blog Writerのポッドキャスト180：窒化ガリウムがシリコンを崩壊させようとしている理由
• 01/2017: Podcast: Bloomberg Radio Interview with Alex Lidow at CES 2017
  ポッドキャスト：米Bloomberg RadioがCES 2017でAlex Lidowにインタビュー
• 11/2016: eGaN^® Technology Reliability and Physics of Failure - Gate Voltage Stress Reliability
  eGaN技術の信頼性と故障の物理：ゲート電圧ストレスの信頼性
• 10/2016: Improving Thermal Performance with Chip–Scale Packaged Gallium Nitride Transistors
  チップスケール・パッケージ封止の窒化ガリウム・トランジスタで熱特性を改善
• 07/2016: eGaN^® Technology Reliability and Physics of Failure - Stress Test Qualification and Capability
  eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目
• 06/2016: Comparing Dead-time Losses for eGaN FETs and Silicon MOSFETs in Synchronous Rectifiers
  eGaN対シリコン：同期整流器においてeGaN FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失を比較
• 06/2016: Improving Thermal Performance with Chip–Scale Packaged Gallium Nitride Transistors
  eGaN対シリコン：同期整流器においてeGaN FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失を比較
• 05/2016: eGaN^® Technology Reliability and Physics of Failure - Examining eGaN Field Reliability
  eGaN技術の信頼性と故障の物理：eGaNのフィールド信頼性を試験
• 03/2016: eGaN^® Technology Reliability and Physics of Failure - Introduction to GaN Reliability
  eGaN技術の信頼性と故障の物理：GaNの信頼性の概要
• 03/2016: Thoughtful Board Design Unlocks the Promise of GaN
  思慮に富んだ基板設計は、GaNの可能性の鍵を開けます
• 03/2016: 20 MHz Bandwidth Envelope Tracking Power Supply Using eGaN^® FETs
  eGaN FET搭載の帯域幅20 MHzの包絡線追跡電源
• 02/2016: WiGaN - Radiated EMI Filter Design for an eGaN^® FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer
  WiGaN - 6.78MHzのワイヤレス・パワー伝送におけるeGaN FETベースのZVSのD級アンプ用放射EMIフィルタ設計
• 01/2016: Getting from 48 V to load voltage
  48Vから負荷電圧を得る
• 12/2015: 'Tis the season to be wasteful
  浪費のシーズン
• 11/2015: How to get 500W in an eighth-brick converter with GaN, part 1
  GaNの1/8ブリック・コンバータで500Wを実現する方法、パート1
• 08/2015: Single Amplifier for a Multi-mode Capable Wireless Power System
  マルチモード動作が可能なワイヤレス・パワー・システム向け単一アンプ
• 08/2015: Practical Layout Techniques to Fully Extract the Benefits of eGaN^® FETs
  eGaN FETの利点を完全に活用するための実践的なレイアウト技術
• 07/2015: New Chips Provide a Spark for Wireless Charging
  新しい半導体チップが無線充電の火付け役になります
• 06/2015: Why Consolidation In The Chip Industry Matters To You
  半導体チップ業界での統合が、なぜ問題になるのか
• 04/2015: Moore’s Law Is Dead. Long Live Moore’s Law.
  ムーアの法則は死んだ。ムーアの法則よ永遠なれ。
• 04/2015: EPC’s Alex Lidow on Gallium Nitride to Replace Silicon Chips (Podcast)
  窒化ガリウム・チップがシリコン・チップを置き換える、EPC社のAlex Lidowが語る（オーディオ）
• 04/2015: Move over, silicon. Gallium nitride chips are taking over
  シリコンを押しのけ、窒化ガリウム・チップが引き継ぐ
• 03/2015: GaN FET module performance advantage over silicon
  GaN FETモジュールの特性はシリコンを超える
• 02/2015: Advancing power supply solutions through the promise of GaN
  GaNの可能性による電源ソリューションの進展
• 02/2015: Where is GaN Going?
  GaNは、どこへ行くのか？
• 02/2015: The Semiconductor Revolutionary
  半導体革命
• 01/2015: GaN technology will transform the future
  GaN技術が未来を変える
• 12/2014: How to GaN: Improving Electrical and Thermal Performance
  GaNの利用法：電気的特性と熱特性を改善する
• 12/2014: Panasonic breathes new life into Technics – features GaN for high speed switching
  パナソニック、テクニクスに新たな息吹を吹き込む： 高速スイッチング用GaNを搭載
• 12/2014: Profiles in Design: Alex Lidow, Ph.D.
  設計のプロフィール：Alex Lidow博士
• 11/2014: WiGaN: eGaN^® FETs in Wide Load Range High Efficiency Wireless Power
  WiGaN：広い負荷範囲で高効率のワイヤレス・パワーにおけるeGaN FET
• 11/2014: How to measure the world's fastest power switch
  世界最高速のパワー・スイッチを測定する方法
• 10/2014: How to GaN: Generation 4 eGaN FETs – Widening the Performance Gap with the Aging MOSFET
  GaNの利用法：第4世代eGaN FET ―― 成熟したMOSFETとの特性の差を広げる
• 08/2014: WiGaN: eGaN^® FETs for Hard-Switching Converters at High Frequency
  WiGaN：高周波でのハード・スイッチング・コンバータ用eGaN^® FET
• 07/2014: Development Boards Make Evaluating eGaN FETs Simple
  開発基板がeGaN FETの評価を単純化
• 07/2014: EPC: GaN Ambition
  EPC：GaNの野望
• 07/2014: GaN: Primed for Power
  GaN：パワーのために準備
• 06/2014: How to GaN: Simplifying Design and Increasing Efficiency with DrGaN^PLUS
  GaNの利用法：DrGaNrGaN^PLUSで設計を単純化し効率を改善
• 06/2014: GaN – Moving Quickly into Entirely New Markets
  GaN：まったく新しい市場にすばやく移行
• 05/2014: How To GaN: eGaN^® FETs for Class A RF Amplifiers
  GaNの利用法：A級RFアンプ向けeGaN FET
• 05/2014: Power Conversion: The End of the Road for Silicon
  電力変換：シリコンの道は行き止まり
• 05/2014: Performance Evaluation of Enhancement-Mode GaN Transistors in Class-D and Class-E Wireless Power Transfer Systems
  D級およびE級のワイヤレス・パワー伝送システムにおけるエンハンスメント・モードGaNトランジスタの特性評価
• 04/2014: How To GaN: Paralleling High Speed eGaN^® FETS for High Current Applications
  GaNの利用法：大電流用途向け高速eGaN® FETの並列接続
• 03/2014: Comparison of Silicon Versus Gallium Nitride FETs for the Use in Power Inverters for Brushless DC Servo Motors
  ブラシレスDCサーボ・モーター用パワー・インバータでの利用に対するシリコンと窒化ガリウムFETの比較
• 02/2014: How To GaN: eGaN^® FETS in High Performance Class-D Audio Amplifiers
  GaNの利用法：高性能D級オーディオ・アンプにおけるeGaN^® FET
• 02/2014: GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time
  GaN：さらに、1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する
• 01/2014: {PODCAST} Paultre on Power - State of the GaN marketplace
  Paultre氏が語る　GaN市場の現状（POD CAST）
• 01/2014: How To GaN: eGaN^®FETs for High Frequency Wireless Power Transfer
  GaNの利用法　無線電力伝送
• 12/2013: How To GaN: eGaN^® FETs for High Frequency Switching
  高速スイッチング用途
• 11/2013: Package Considerations for High Frequency Power Conversion Devices
  高周波電力変換デバイスにおけるパッケージ考察
• 10/2013：How to GaN: eGaN FETs in Hard Switching Intermediate Bus Converters
  GaNの利用法：ハードスイッチングの中間バスコンバータにおけるeGaN FET
• 10/2013：Enhancing the inefficiency of an RF power amp: The envelope tracking (ET) system
  RFパワーアンプアプリケーション：エンベロープトラッキング（ET）システム
• 09/2013：How To GaN: eGaN FETs in High Frequency Buck Converters
  GaNの利用法：高周波バックコンバータにおけるeGaN FET
• 09/2013: GaN In Power Electronics Applications
  パワーエレクトロニクスにおけるGaN利用
• 08/2013：How To GaN: Driving eGaN FETs and Layout Considerations
  GaNの利用法：eGaN FETの駆動とレイアウト考察
• 07/2013：How To GaN: Enhancement Mode GaN Transistor Electrical Characteristics
  GaNの利用法：エンハンスメントモードGaNトランジスタの電気的特性
• 06/2013：GaN Power Devices Transition To Production Phase
  GaNパワーデバイスが量産段階に移行
• 06/2013：Delivering Efficient Power Conversion with Package-Free HEMTs
  斬新なパッケージでのHEMT構造による高効率電力変換
• 06/2013：The New Silicon: EPC’s CEO on Why Gallium Nitride Will Be the Future of Power Management Devices
  新しいシリコン：なぜ窒化ガリウムがパワーマネジメントデバイスの未来になるだろうか、について語る　EPC社CEO
• 06/2013：How To GaN: Introduction to Gallium Nitride (GaN) Transistor Technology
  GaNの利用法：窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術の紹介
• 05/2013：Exploring gallium nitride technology
  窒化ガリウム技術の調査
• 03/2013：Highly Resonant Wireless Power Transfer System Teardown
  共鳴型ワイヤレス電力伝送システムを分解
• 03/2013：eGaN FETs improve performance in Industrial POL Converters
  eGaN FETが産業用途POLコンバータの特性を改善
• 03/2013：Si vs. GaN vs. SiC: Which process and supplier are best for my power supply design?
  Si 対 GaN 対 SiC：私の電源設計に、どのプロセス、どのサプライヤが最適ですか？
• 03/2013：{PODCAST} Paultre on Power - Power GaN
  ｛PODCAST｝Paultre氏が語る　パワーGaN
• 01/2013：Vendor Positions in the High Voltage GaN Commercialization Race
  高耐圧GaNの商業化レースにおける各ベンダーの位置づけ
• 01/2013：Low Cost GaN e-mode Transistors and Diodes
  低価格GaN　エンハンスメントモードトランジスタとダイオード
• 01/2013：Enhancement Mode GaN Making Wireless Power Transmission More Efficient
  エンハンスメントモードGaNによる、高効率なワイヤレス電力伝送
• 12/2012：Gan-on-Si Based FETs Foster New Applications
  Gan-on-SiベースのFETが新しいアプリケーションを育成
• 12/2012：nPower PEG Uses eGaN Technology from EPC to Charge Mobile Devices from People-PowernPower
  PEG社は、People-Power社の携帯型充電器に、EPCのeGaN技術を採用
• 09/2012：Gallium Nitride Transistor Packaging Advances and Thermal Modeling
  窒化ガリウムトランジスタのパッケージの進歩とサーマルモデリング
• 07/2012：Are GaN Transistors Ready for Prime Time in Power Conversion
  GaNトランジスタは電力変換アプリケーションにおいて実用化できるか
• 06/2012：Eighth Brick DC-DC Converter
  1/8ブリックDC-DCコンバータ
• 06/2012：Test Equipment Must Keep Pace with New High Power Semiconductor Developments
  新しい大電力半導体の開発に伴って各種試験装置も開発されます
• 06/2012：Characterizing High Power Semiconductors Requires New Technologies
  パワー半導体のキャラクタライゼーションには新しい技術が必要
• 03/2012：{VIDEO} Market Adoption of Enhancement Mode Gallium Nitride Transistors
  ｛ビデオ｝エンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタ 　 市場での受け入れ
• 02/2012：{VIDEO} How Enhancement Mode Gallium Nitride Transistors Work
  ｛ビデオ｝エンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタの動作
• 12/2011：Gallium nitride based devices set to bring substantial boost to power efficiency
  窒化ガリウム素材のデバイスが電力効率を高める
• 09/2011：{VIDEO} An Interview with CEO, Alex Lidow
  ｛ビデオ｝Alex Lidow（アレックス・リドウ）(CEO)へのインタビュー
• 09/2011：How2 Get from AC to Below 1 V with eGaN FETs
  eGaN FETを使って交流電源から1V以下を得る方法
• 09/2011：Notebook DC-DC Converter Design
  ノートパソコン用DC-DCコンバータの設計
• 09/2011：Gate drive design for eGaN FETs
  eGaN FET用ゲート駆動回路の設計
• 06/2011：Industry’s first eGaN FET Driver Simplifies Switching Design
  業界初のGaN FET用ドライバがスイッチングデザインを簡略化
• 03/2011: Shrink System Size with a 19 V – 1.2 V Buck Converter Using eGaN FETs
  eGaN FETを使う19Vから1.2Vへのバック・コンバータでシステム・サイズを小型化
• 02/2011：An interview with Alex Lidow on GaN Developments
  GaN開発についてAlex Lidow（アレックス・リドウ）に聞く
• 11/2010：High Step-Down Ratio Buck Converters with eGaN Devicese
  GaNデバイスを使った降圧比の高いバックコンバータ設計
• 11/2010：Driving eGaN FETs
  GaN FETの駆動
• 10/2010：{VIDEO} Interview with CEO Alex Lidow
  ｛ビデオ｝Alex Lidow（アレックス・リドウ）CEOに聞く
• 10/2010：How2 Understand eGaN Transistor Reliability
  eGaNトランジスに関する信頼性
• 06/2010：GaN - the New Frontier for Power Conversion
  GaN：電力変換の新しいフロンティア
• 03/2010：Enhancement Mode Gallium Nitride Transistor Delivers Impressive Performance
  エンハンスメントモード窒化ガリウムトランジスタによる卓越した特性
• 02/2010：Can Gallium Nitride Replace Silicon?
  窒化ガリウムは、シリコンを置き換えられるか？

パワーエレクトロニクス技術eGaN^® FET：シリコンパワー・シュートアウトシリーズ

• Volume 1：性能指数FOM（Figure of Merit）の比較
• Volume 2：ドライバ、レイアウト
• Volume 3：PoE（Power over Ethernet）
• Volume 4：絶縁型ブリックコンバータ
• Volume 5.1：eGaN FETの並列接続
• Volume 5.2：eGaN FETの並列接続
• Volume 6：PoE（Power over Ethernet）、PSE（Power Sourcing Equipment）
• Volume 7：バックコンバータ
• Volume 8：エンベロープトラッキング（ET：Envelope Tracking）
• Volume 9：ワイヤレスパワーコンバータ
• Volume 10：高周波共振コンバータ
• Volume 11：FETのオン抵抗の最適化
• Volume 12：デッドタイムの最適化
• Volume 13.1：特性への寄生要素の影響
• Volume 13.2：最適なプリント回路基板レイアウト
• Volume 14：eGaN FETの小信号RF特性
• eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: A Retrospective of Sixteen Articles（eGaN FET：シリコンパワー・シュートアウト：16本の過去関連記事）