EPC技術記事

GaNはモーター駆動用途に革命をもたらしています

米オンライン・ニュースサイトHow2Powerの先月のSafety&Complianceコラム「WBG Semiconductorsでは、モーター駆動用途で安全性とEMI(電磁干渉)雑音の課題を提起します」 [1] において、Kevin Parmenter氏は、モーター駆動用途の大市場におけるパワー半導体であるSiC、および、それほど広まってはいませんがGaNの利用の難しさについていくつかの主張をしました。この解説は、そのコラムへの回答であり、GaNが低電圧の統合されたモーターにおいて、ゲームを変えるものになる可能性があることを示しています。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2021年2月
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高密度サーバー向けGaN

窒化ガリウム(GaN)デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
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自動車用Lidarに対するAECを超えたGaN信頼性試験

GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)です。Lidar技術は、クルマの周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するために、高い精度と信頼性が要求されます。この記事では、Lidarの特定の使用例について、AEC(Automotive Electronics Council)の品質認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、EPCによって開発された新しいテスト・メカニズムについて説明します。

米Power Systems Design誌
2020年12月
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GaNによる電力変換

GaN技術は、大幅に改善されており、MOSFETの置き換えに最適なコストに達しました。2017年以降、48 V入力のDC-DCコンバータでのGaNの採用率は、市場で重要な暗示的な意味合いを帯び始めました。マルチフェーズやマルチレベルのバック(降圧型)などのさまざまな回路構成が、IT市場や自動車市場のエネルギー需要に応えるためのより高効率な新しいソリューションを提供しています。

米Power Electronics News誌
2020年11月
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間接飛行時間ToF型レーザー・ドライバ向けの統合ゲート・ドライバを備えたGaNのePower™超高速スイッチ

窒化ガリウムFETは、パワー・エレクトロニクスの多くのアプリケーションで牽引力となり続けていますが、GaN技術はまだ、ライフ・サイクルの初期段階にあります。FETの基本的な性能指数FOM(figure of merit)を改善する余地はたくさんありますが、さらに有望な手段はGaNパワーICの開発です。

独Bodo’s Power Systems
2020年11月
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GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム(GaN)は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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よりスマートなクルマ、それは、より多くのGaNを必要とします

窒化ガリウムは、内燃エンジンから電気自動車やスマート・カーへの移行を支援しています。

米Power Systems Design誌
2020年7月/8月号
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車載品質規格AECを超えたGaN信頼性テストで自動車用Lidarアプリケーション向けの丈夫さを証明

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは2010年3月から量産されており、優れたフィールド信頼性の記録を樹立しています。GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車向けLidar(光による検出と距離の測定)です。Lidar技術は、車両の周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するには高い精度と信頼性が必要です。この記事では、Lidarの特定のユース・ケースに対する車載用電子部品信頼性の標準化団体であるAECの認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、Efficient Power Conversion(EPC)が開発した新しいテスト・メカニズムについて説明します。

ベルギーのeeNews Europe誌
2020年7月30日
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「仮想APEC」からのパワー製品ニュース

このストーリーの13ページ目から始まります。EPCはAPEC向けの最新のGaN開発についてDavid Morrisonと話しました。EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、自社の新しいパワー段IC、マルチレベル構成を採用したGaNベースのリファレンス・デザインの開発、および、元々、APEC向けだったさまざまなデモについて説明しました。

米How2Power Today誌
2020年4月
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GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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窒化ガリウムの新機能?

Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)です。おそらく窒化ガリウムの最も著名な提唱者であり、2009年に最初のGaNトランジスタを製品化しました。10年にわたる製品販売を踏まえて、独DESIGN&ELEKTRONIK誌の編集者であるRalf Higgelkeが彼に会い、その分野の最新の進歩について話しました。

独DESIGN&ELEKTRONIK誌
2020年2月20日
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電力変換用GaN

シリコンが理論的な限界に近づいているため、新しい設計では、GaNデバイスの採用が継続的に進展しています。GaNデバイスは、その進化の初期段階にあり、性能と統合の進展によって、多くの製品が登場しています。

英Electronics Weekly誌
2019年12月
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GaNの先行き

小型、高速、低コスト、そして高集積のGaNオン・シリコン・デバイスは、さまざまな電力変換用途の設計者から信用を勝ち得ています。この記事では、Alex Lidow(アレックス・リドウ)がGaNのパワー・トランジスタとICを使わずに済ますことが難しくなっている理由を説明します。

英Electronic Specifier誌
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GaNの先行き

GaNのパワー・トランジスタとICの使わずに済ますことは、ますます難しくなってきています、とAlex Lidow(アレックス・リドウ)は言っています。eGaN FETなどのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタを通信、自動車、医療、コンピュータで使う多くの理由があります。小型、高速、低コスト、高集積のGaNオン・シリコン・デバイスは、電力変換のすべての用途で設計者の信用と信頼を得るために10年を費やしてきました。

英Electronic Specifier誌
2019年11月20日
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受賞したGaNアプリケーションに関するAlex Lidowへのエグゼクティブ・インタビュー

ドイツのミュンヘンでの12月のパワー会議に先立ち、Bodo Arlt氏は、現在、GaN市場がどこにあり、将来の潜在的なアプリケーションがどこにあるとみているかについて、Alex Lidow(アレックス・リドウ)の見通しを聞く機会を得ました。Lidow博士は、Efficient Power Conversion(EPC)のCEO(最高経営責任者)で共同設立者です。

独Bodo’s Power Systems
2019年11月
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パワー半導体戦争が始まる

GaNとSiCは、価格が下がるにつれて、非常に魅力的になってきています。窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)に基づくパワー半導体の次の波へと展開しているベンダーがあり、市場において、従来のシリコン・ベースのデバイスに対する対決の舞台を設定しています。

米Semiconductor Engineering
2019年10月
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48 V入力、12 V出力の車載用途向けDC-DC変換

48 Vの用途に向く性能指数(FOM:figure of merit)を備えたGaNトランジスタは、サイズ、重さ、BOM(部品表)コストの削減を実現できます。この記事では、5相の完全に安定化した双方向の48 V入力、12 V出力のDC-DCコンバータについて説明します。eGaN FETの使用に適した高度な熱管理ソリューションによって、14.5 Vのバッテリーに97.5%を超える効率で3 kWの電力を供給できるシステムが得られます。

米Power Systems Design誌
2019年7月
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GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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eGaN FETとICを使った最も小型で最も高効率の48 V入力、5 V~12 V出力のDC-DCを実現

最新のデータセンターで電源アーキテクチャが12 Vの電力バス分配から48 Vへと移行していることに伴って、48 V系の電力変換効率と電力密度の向上への要求が高まっています。この流れに沿って、eGaN® FETとICを使って設計されたDC-DCコンバータは、高効率化と高電力密度化のソリューションを実現できます。加えて、マイルドハイブリッド、ハイブリッド、およびプラグイン・ハイブリッドの電気自動車における48 V電源システムに対して、GaNトランジスタは、大きさ、重さ、および部品表(BOM)のコスト削減を提供することができます。

米Power Systems Design誌
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