EPC技術記事

超薄型降圧コンバータの設計:多相対マルチレベル

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムは、より薄くなると同時に、より大電力にもなりました。結果として、これらの市場は、より大きな電力密度を備えたより薄型の電源ソリューションに対する需要を拡大し続けています。この記事では、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を、48 V〜20 V、250 Wの超薄型電源ソリューションに採用することの実現可能性について検討します。

米How2Power誌
2020年5月
記事を読む

GaNと48 V:どこに行くのか、どこに行こうとしているのか?

3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
記事を読む

窒化ガリウムの新機能?

Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、Efficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)です。おそらく窒化ガリウムの最も著名な提唱者であり、2009年に最初のGaNトランジスタを製品化しました。10年にわたる製品販売を踏まえて、独DESIGN&ELEKTRONIK誌の編集者であるRalf Higgelkeが彼に会い、その分野の最新の進歩について話しました。

独DESIGN&ELEKTRONIK誌
2020年2月20日
記事を読む

電力変換用GaN

シリコンが理論的な限界に近づいているため、新しい設計では、GaNデバイスの採用が継続的に進展しています。GaNデバイスは、その進化の初期段階にあり、性能と統合の進展によって、多くの製品が登場しています。

英Electronics Weekly誌
2019年12月
記事を読む

GaNの先行き

GaNのパワー・トランジスタとICの使わずに済ますことは、ますます難しくなってきています、とAlex Lidow(アレックス・リドウ)は言っています。eGaN FETなどのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタを通信、自動車、医療、コンピュータで使う多くの理由があります。小型、高速、低コスト、高集積のGaNオン・シリコン・デバイスは、電力変換のすべての用途で設計者の信用と信頼を得るために10年を費やしてきました。

英Electronic Specifier誌
2019年11月20日
記事を読む

受賞したGaNアプリケーションに関するAlex Lidowへのエグゼクティブ・インタビュー

ドイツのミュンヘンでの12月のパワー会議に先立ち、Bodo Arlt氏は、現在、GaN市場がどこにあり、将来の潜在的なアプリケーションがどこにあるとみているかについて、Alex Lidow(アレックス・リドウ)の見通しを聞く機会を得ました。Lidow博士は、Efficient Power Conversion(EPC)のCEO(最高経営責任者)で共同設立者です。

独Bodo’s Power Systems
2019年11月
記事を読む

2019年のデータセンター・パワー

2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。

サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。

米EDN誌
2019年6月
記事を読む

GaNがシリコン・パワーMOSFETに正面攻撃へ

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
記事を読む

GaNベースの高電力密度パワー段の熱設計

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
記事を読む

EPC:詰め込みの先へ

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
記事を読む

PCIM Europe:パワーがイノベーションの中核にある展示会

今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上(54%)がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。

英オンライン・ニュースElectronic Specifier
記事を読む

サーバーや自動車における48 VのDC / DC電力変換向けGaNを強化

EPC(Efficient Power Conversion)は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム(私の記事である双方向DC / DC電源:私たちはどちらに行くのか?、を参照してください)の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
記事を読む

48 Vバスからグラフィックス・プロセッサへの電力供給

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能(AI)のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
記事を読む

GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

この連載の最後の記事では、GaNがシリコンを置き換えるための要件をどのように満たしているかを調べます。GaNの採用率が爆発的に拡大するにつれて、GaNは、わずか数年の短い間に多くの進歩を遂げましたが、それでもまだ理論的な性能限界にはほど遠いので、引き続き達成できる大きな改善があることを忘れないでくださいことが大切です。やがて、GaNオン・シリコンの性能およびコスト上の利点によって、現在、シリコン・ベースのデバイスを使っている大部分の用途において、より小型、より高速、より安価、より高信頼性のGaN技術に変換されることになるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年2月
記事を読む

48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

ドイツのニュルンベルクで開催された先週のPCIM Europe会議では、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが重要なトピックでした。「48 V入力、1 V出力のダイレクトDC-DCコンバータにGaNスイッチを使うと、今日の最高のシリコン・ベースの設計と比べて、システム性能を30%向上させることができます」とEfficient Power ConversionのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

米PowerPulse
2017年5月31日
記事を読む

効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。

米EDN Network誌
Steve Taranovich
2016年4月16日
記事を読む

RSS