EPC技術記事

バッテリー駆動のモーター駆動用途向け1.5 kWのGaN インバータ

GaNトランジスタとIC は、モーター駆動用途の電力密度を高められます。最適なレイアウト手法によって、レッグ・シャントや同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形ときれいな電流再構成信号が得られます。

独Bodo’s Power Systems
2021年6月
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製品のまとめ:GaNパワー半導体が牽引力を獲得

(Image: Yole)

GaNパワー半導体のメーカーは、パワー・エレクトロニクス機器の展示会PCIM Europeで、100 V~650 Vのデバイスの最新製品を展示しました。PCIM Europeでは、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などのワイド・バンドギャップ(WGG)半導体の利点と使用例についていくつかのプレゼンテーションを実施しました。EPC、米GaN Systems、独インフィニオン テクノロジーズ、オランダのNexperia、スイスのSTマイクロエレクトロニクスなどのメーカーは、今週、GaNパワー半導体のいくつかの新しいファミリーを発表しました。

米オンライン・ニュースElectronic Products
2021年5月
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バッテリー駆動のモーター駆動用途向けGaNのePower Stage ICベースのインバータ

GaNトランジスタとICは、入力フィルタの電解コンデンサを排除できるので、モーター駆動用途の電力密度を高めることができます。GaNの優れたスイッチング動作は、デッドタイムを取り除き、不整合な正弦波の電圧波形と電流波形が供給されても、よりスムーズで静かな動作を実現することに役立ちます。

独Bodo’s Power Systems
2021年4月
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窒化ガリウム(GaN)集積回路による電力変換の再定義

GaN技術は急速に発展しており、新世代のより高効率、より小型、より低コストの集積回路のプラットフォームとなる新世代のディスクリート・デバイスが頻繁に製品化されています。GaN集積回路は、製品をより小さく、より速く、より高効率にし、設計を容易にします。

米Power Systems Design誌
2021年3月(36ページ)
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GaN集積回路が電力変換をどのように再定義しているか

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、10年以上生産されており、性能とコストの改善だけでなく、GaN技術が電力変換市場に影響を与える最も重要なことは、同じ基板上に複数のデバイスを集積できる固有の属性にあります。これによって、モノリシック電源システムを単一チップ上において、より簡単、より高効率、かつ、より費用対効果の高い方法で設計できるようになります。

米Power Electronics News誌
2021年1月
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レーザー・ドライバICは、Lidarアプリケーションの採用に拍車をかけるかもしれません

レーザー・ドライバIC製品の新しいファミリーによって、幅広いエンド・ユーザー・アプリケーションで、ToFソリューションの採用が加速され、普及が促進されます。

米オンライン・ニュースHow2Power
2021年3月
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窒化ガリウムの集積化:技術的な障壁を素早く打破する

GaNオン・シリコン基板を使って形成した集積回路は、5年以上にわたって製造されています。この究極の目標は、マイクロコントローラからのシンプルなデジタル入力によって、あらゆる条件下で、可能な限り小さなスペースで経済的に負荷を効率的かつ確実に駆動する電力出力を生成する単一のICを実現することです。ディスクリートのパワー・トランジスタは、シリコン・ベースでもGaNオン・シリコンでも、最終段階に入っています。集積化されたGaNオン・シリコンは、必要な作業を大幅に削減し、より小さな実装面積でより高い性能を提供できます。

IEEE Power Electronics Magazine誌
2020年3月
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低電圧POLコンバータにGaNの利点をもたらすドライバICとFETのマッチング

この記事では、12 V入力から1 V出力へのPOL(負荷点)コンバータにおいて、適切なGaN FETドライバと組み合わせてGaN FETを使ったときに得られる特性の改善について説明します。ここで説明する設計例では、台湾uPI Semiconductorのデュアル・チャネル同期整流ドライバICであるuP1966Dを、Efficient Power ConversionのGaN非対称ハーフブリッジFETであるEPC2100と組み合わせて使います。

米How2Power Today誌
2019年12月
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APEC 2019のビデオ

Efficient Power Conversionは、GaNベースのデバイス開発の最前線にいます。このビデオでは、EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)がAlix Paultre氏と、GaNベースのデバイスが提供する利点を強調したこの展示会におけるさまざまなデザイン・インについて話します。

米Embedded Computer Design誌
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シリコンは死んだ

EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、APEC 2019のRidley Engineeringブースで、シリコンが死んだというタイトルのプレゼンテーションを行いました。

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eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム

近年、GaNベースの電力変換は、従来のSiトランジスタを上回るeGaN FETの本質的な利点によって人気が高まっています。コンバータの設計をSiからGaNに移行すると、システム内のすべての部品を検討が要求される多くのシステム・レベルの改良が行われます。この傾向は、GaNベースの設計をサポートするパワー・エレクトロニクスのエコシステムの拡張に拍車を掛けて続けることになります。

米ニュース・サイトPower Systems Designs
By Edward A. Jones, Michael de Rooij, and David Reusch
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なぜ、専門家がより安価でより良いlidarがすぐにそこにあると信じているのか

この記事では、lidar(光による検出と距離の測定)技術について深く掘り下げます。この技術がどのように機能するかを説明し、商業的な自動運転車の要求条件を満たすlidarセンサーを構築しようとするときに、技術者が直面する課題についても説明します。

要するに、lidarのコストを下げるには、かなり難しいエンジニアリング業務がかかりますが、高品質のlidarのコストを1000米ドル以下、最終的には100ドル以下にするための根本的な障壁はないようです。つまり、lidarに依存する技術、究極的には自動運転車は、一般消費者の手の届くところにあるはずです。

米ニュース・サイトArs Techinca
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:ゲート電圧ストレスの信頼性

このシリーズの前回の論文では、EPCの eGaNウエハー・レベルのチップスケール・パッケージの熱機械的信頼性を取り巻く故障の物理に焦点を当てました。電圧バイアス下での潜在的な故障モードの基本的な理解も重要です。この論文では、窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のゲート電極に対する電圧バイアスに関連する故障の物理の概要を説明します。ここでは、ゲート制御電圧を指定された限界以上にして、eGaN FETが予想寿命にわたってどのように動作するかを調べる場合について検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:はんだ接合部の歪み

このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)と集積回路(IC)のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。文書にまとめられた優れたフィールド信頼性は、デバイスがアプリケーション内で遭遇するとみられる動作条件を網羅するストレス・テストを実施した結果です。同様に重要なのは、予想された動作条件(例えば、データシートのパラメータと安全動作領域)を超えてストレスが加えられたとき、eGaNデバイスにどのように不具合が起こるかの根本的な物理を理解することです。今回は、eGaNのウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ(WLCSP)の熱機械的な信頼性を中心とする故障の物理学を深く掘り下げるものになります。

米Planet Analog誌
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目

このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion(EPC)社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETと集積回路(IC)のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:eGaNのフィールド信頼性を試験

Efficient Power Conversion(EPC)社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のFETと集積回路(IC)は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。

フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数(FIT:109時間の故障数)が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。

米Plant Analog誌
Chris Jakubiec
2016年5月1日
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