eGaN FET Reliability

eGaN® FETの信頼性

eGaNデバイスは2010年3月から量産されており、実験室でのテストと大量に使うユーザーのアプリケーションとの両方で非常に高い信頼性を示しています。eGaNデバイスは、フィールドでの信頼性に関する優れた記録を持っています。

EPCは、広範なストレス条件にわたってGaNデバイスの動作の理解を深めるために、広範な信頼性テストを実施しています。

これらの信頼性研究の結果は、GaNが急速に進歩し続けている非常に丈夫な技術であることを示しています。

EPCは、GaNデバイスに厳しい信頼性基準を適用し、その結果を電力変換業界と共有することを約束しています。この知識ベースに新しい分析を定期的に追加し続けます。