RoHS対応 およびハロゲンフリーのステートメント

鉛フリーのeGaN FETは、RoHS指令2002/95/ECとRoHS 3指令2015/863に準拠しています。指令2002/95/ECは、電気・電子機器の中での6種の特定有害物質の使用を禁止しています。6種の物質は、鉛、水銀、カドミウム、6価クロム、ポリ臭化ビフェニル(PBB)、ポリ臭化ジフェニルエーテル(PBDE)です。指令2015/863は、化学物質のREACH規制の下で引用されているように、元の6種に加えて、4種の制限物質(フタル酸エステル類)の使用を禁止しています。追加した4種の物質は、フタル酸ビス(2-エチルヘキシル)(DEHP)、フタル酸ベンジルブチル(BBP)、フタル酸ジブチル(DBP)、フタル酸ジイソブチル(DIBP)です。

鉛フリーのeGaN FETも同様に、RoHS指令2011/65 / EU(RoHS 2)に準拠しています。RoHS 2は、指令2002/95 / EC(RoHS 1)と同じ有害物質および同じ最大濃度制限を扱っています。したがって、RoHS 1の物質制限を満たすすべての製品は、引き続きRoHS 2の物質制限にも準拠しています。

EPCの鉛フリーの製品は、規格番号BS EN 14582:2007に従った方法を使って、ハロゲン元素に対しても検査されました。このテストで、どのハロゲン元素も検出されませんでした。

鉛フリーのデバイスは、そのデータシートにおいて、そういうものであると明確に示され、リール上のRoHSラベルで明確に識別できます。EPCのeGaN FETの完全なリストに関しては、ウエブサイト(https://epc-co.com/epc/jp/製品/eGaNFETとIC.aspx)の当社製品の一覧表を参照してください。

詳細については、電子メール([email protected])で当社にご連絡ください。

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