GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ

New 100 V eGaN Devices Increase Benchmark Performance Over the Aging Silicon Power MOSFET

New 100 V eGaN Devices Increase Benchmark Performance Over the Aging Silicon Power MOSFET
9 22 2020

Efficient Power Conversion (EPC) is increasing the performance distance between the aging silicon power MOSFET and eGaN transistors with 100 V ratings.  The new fifth-generation “plus” devices have about 20% lower RDS(on) and increased DC ratings compared with the prior fifth-generation products.  This performance boost comes from the addition of a thick metal layer and a conversion from solder balls to solder bars.

New 200 V eGaN Devices Double the Performance Edge Over the Aging Silicon Power MOSFET.

New 200 V eGaN Devices Double the Performance Edge Over the Aging Silicon Power MOSFET.
8 21 2020

Efficient Power Conversion (EPC) is doubling the performance distance between the aging silicon power MOSFET and eGaN® transistors with 200 V ratings.  The new fifth-generation devices are about half the size of the prior generation.  This performance boost comes from two main design differences, as shown in figure 1.  On the left is a cross-section of the fourth generation 200 V enhancement-mode GaN-on-Si process.  The cross-section on the right is the fifth-generation structure with reduced distance between gate and source electrodes and an added thick metal layer. These improvements, plus many others not shown, have doubled the performance of the new-generation FETs.

なぜ宇宙にGaNなのか?

なぜ宇宙にGaNなのか?
6 28 2020

SEE耐性や耐放射線特性を強化し、パッケージ化されたエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・デバイスは、成熟した耐放射線シリコンMOSFETに比べて、性能が劇的に改善され、これまでにない高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙における新世代のパワー・コンバータを可能にします。

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!
5 19 2020

GaN FETは、Si MOSFETに比べて非常に高速にスイッチングできるため、多くのシステム設計者は、スイッチング速度の高速化がEMI(電磁干渉雑音にどのように影響するかを気にします。

このブログでは、eGaN® FETを使ってスイッチング・コンバータ・システムを設計するときに考慮すべき簡単な軽減手法について説明し、スイッチング速度が高速であるにもかかわらず、GaN FETがMOSFETsよりもEMI雑音の発生が小さい理由を示します。

ePower™ Stage:電力変換を再定義する

ePower™ Stage:電力変換を再定義する
3 16 2020

GaN技術は、性能とコストの改善だけでなく、電力変換市場に影響を与える最も重要な機会は、同じ基板上に複数のデバイスを集積する本質的な能力にあります。標準的なシリコンIC技術とは対照的に、GaN技術を使うと、モノリシックのパワー・システムを、より簡単でコスト効率の高い方法でワン・チップに集積できます。

2020年、GaNと共に新年

2020年、GaNと共に新年
1 02 2020

EPCの親愛なる友人、同僚、パートナ様

みなさま、および、ご家族のみなさま、EPCの全社員より、謹んで新春のお慶びを申し上げます!

2019年は、EPCのGaNの革新と、成果を上げたGaNの複数のユース・ケースで記憶に残る年でした。EPCの最新世代のGaN製品は、オン抵抗RDS(on)が低く、効率が高く、熱特性が向上し、小型で低コストであるため、パワー段の優位性を強化することができました。現在、これまで以上に、パワー・システムの設計者は、シリコン・デバイスから高性能のGaN部品に切り替えています。

モーター駆動用GaNの力を活用する ―― サーボ駆動、ロボット、ドローン

モーター駆動用GaNの力を活用する ―― サーボ駆動、ロボット、ドローン
9 12 2019

モーター技術の進歩によって、電力密度が高くなりました。モーターは、より小さな形状で実現され、より高速で高精度な設計になっているので、より高い周波数が必要になります。

3相ブラシレスDC(BLDC)モーターは、出力定格の割に小型なので、正確に制御でき、高い電気機械効率を提供し、適切に制御された場合、最小限の振動で動作できます。これらのモーターは、サーボ駆動、外科ロボットなどのロボット、回転翼を4基搭載したドローンなどの精密な用途で、ますます、または排他的に使われています。電流リップルを適切な範囲内に維持するために、これらのモーターは、低いインダクタンスを考慮すると、最大100 kHzのスイッチング周波数が必要です。損失を最小限に抑えた上で、振動を発生させ、駆動精度を低下させ、効率を低下させるモーターのトルク・リップルを相殺するには、高周波で高効率に動作できるFETが必須です。