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Term: シリコン
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新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です

新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です
8 21 2020

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格200 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaN®トランジスタの間の性能の差を2倍にしています。新しい第5世代デバイスのサイズは、前世代の約半分です。この性能向上は、図1に示すように、2つの主な設計上の違いによります。左側は、第4世代の200 Vのエンハンスメント・モードGaNオン・シリコンの構造の断面図です。右側の断面図は、第5世代の構造で、ゲート電極とソース電極との間の距離を短くし、厚い金属層が追加されています。これらの改善に加えて、示されていない他の多くの改善によって、新世代FETの性能は2倍になりました。