GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: Lidar
21 post(s) found

Pulsing 1550 nm Lasers for Lidar

Pulsing 1550 nm Lasers for Lidar
4 20 2021

Pulsed lidar systems typically use either 905 nm or 1550 nm lasers for optical emission.  Above 1400 nm, various elements of the eye absorb the light, impeding it from reaching and damaging the retina.  As laser power is increased, not all of it is absorbed, and at some point, retinal damage may occur.  Since 905 nm light does not get absorbed, it does reach the retina, so care must be used to limit the energy density to prevent damage.

If the decision is to use 1550 nm light, efficiency differences in the semiconductor laser make it necessary to use higher current for the same optical power emitted compared with 905 nm light.  Additionally, the same characteristics that allow the light to be absorbed by the eye before getting to the retina cause it to be absorbed by the atmosphere.  This phenomenon is amplified as humidity increases to fog, rain, or snow.  The drive power required for a 1550 nm laser may be up to 10 times higher than for a 905 nm laser based system.  Fortunately, there is a solution to deliver the power necessary to drive 1550 nm lasers while maintaining the edge speed and pulse required for high resolution in pulsed lidar applications.

eToF™ Laser Driver ICs for Advanced Autonomy Lidar

eToF™ Laser Driver ICs for Advanced Autonomy Lidar
3 22 2021

Co-written by Steve Colino

Laser drivers for light distancing and ranging (lidar) are used in a pulsed-power mode. What are the basic requirements for these laser drivers?

A new family of integrated laser driver ICs meets all these requirements.  The first release, the EPC21601 laser driver IC, integrates a 40 V, 10 A FET with integrated gate driver and 3.3 V logic level input in a single chip for time-of-flight (ToF) lidar systems used in robotics, surveillance systems, drones, autonomous cars, and vacuum cleaners. This chip offers frequency capability up to 200 MHz in a low inductance, economical, 1 mm x 1.5 mm BGA package.

なぜ宇宙にGaNなのか?

なぜ宇宙にGaNなのか?
6 28 2020

SEE耐性や耐放射線特性を強化し、パッケージ化されたエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・デバイスは、成熟した耐放射線シリコンMOSFETに比べて、性能が劇的に改善され、これまでにない高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙における新世代のパワー・コンバータを可能にします。

eGaN FETを使った48 V入力、12 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る

eGaN FETを使った48 V入力、12 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る
4 03 2019

コンピュータや電気通信の市場の急速な拡大によって、中間バス・コンバータ向けに、これまで以上に小型、高効率、高電力密度のソリューションが求められています。LLC共振コンバータは、高電力密度と高効率のソリューションを提供するための優れた候補です。非常に小さい低オン抵抗と寄生容量を備えたeGaN® FETsは、Si MOSFETを使うときに困難だった大幅な損失低減によってLLC共振コンバータに貢献します。EPC2053やEPC2024などのeGaN FETを採用した48 V入力、12 V出力の900 W、1 MHz動作の LLC DC-DCトランス(DCX)・コンバータがデモされ、電力密度1500 W / 立方インチ以上でピーク効率98.4%が得られています。

CESはイノベーションの世界的な舞台です

CESはイノベーションの世界的な舞台です
12 30 2018

1970年の最初のビデオ・テープ・レコーダ(VTR)から無線で充電できる世界初のノート・パソコンまで、世界を変える革新は、世界中のイノベーションが集まる場所CESで発表されました。

自動運転のEレースの中のLiDARなどを設計

自動運転のEレースの中のLiDARなどを設計
8 27 2018

米ニュース・サイトPlanet Analogの編集長Steve Taranovich氏が執筆したこの記事は、もともとPlanet Analogのウエブサイトに2018年8月10日に掲載されました。LiDAR(光による検出と距離の測定)のeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細をご覧ください。

Tags: GaNLidar

GaNを追い越し車線に駆り出す

GaNを追い越し車線に駆り出す
6 12 2018

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。

最近、同社は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。

当社には、LiDAR(センサー)用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。

eGaN技術がクルマに来る

eGaN技術がクルマに来る
5 01 2018

この記事は、もともとBodoのPower Systemsのウエブサイトに2018年5月に掲載されました。自動車自動車向けeGaN技術とEPCのGaNソリューションに関する詳細をご覧ください。

APEC 2018:パワー・エレクトロニクスの世界におけるGaN革命

APEC 2018:パワー・エレクトロニクスの世界におけるGaN革命
2 28 2018

世界で最小、最高効率、最低コストのDC-DCコンバータをご覧ください!eGaN技術がこれを可能にし、今年のAPECAmerican Power Engineering Conference)で展示する予定です。APECでは、世界中のパワーのエンジニアが集まり、パワー・エレクトロニクスの世界で利用可能な最新の革新や製品について見たり、学んだりできます。

EPCのGaNのエキスパートたちは、GaN技術の最新について、および、最先端パワー・エレクトロニクスへの応用について、半日の教育セミナーを開催します。さらに、EPCは6件の技術セッションを実施し、当社のブースや顧客用スイートでeGaNのアプリケーションをデモします。