GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: GaN FET
12 post(s) found

新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です

新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です
8 21 2020

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格200 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaN®トランジスタの間の性能の差を2倍にしています。新しい第5世代デバイスのサイズは、前世代の約半分です。この性能向上は、図1に示すように、2つの主な設計上の違いによります。左側は、第4世代の200 Vのエンハンスメント・モードGaNオン・シリコンの構造の断面図です。右側の断面図は、第5世代の構造で、ゲート電極とソース電極との間の距離を短くし、厚い金属層が追加されています。これらの改善に加えて、示されていない他の多くの改善によって、新世代FETの性能は2倍になりました。

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!
5 19 2020

GaN FETは、Si MOSFETに比べて非常に高速にスイッチングできるため、多くのシステム設計者は、スイッチング速度の高速化がEMI(電磁干渉雑音にどのように影響するかを気にします。

このブログでは、eGaN® FETを使ってスイッチング・コンバータ・システムを設計するときに考慮すべき簡単な軽減手法について説明し、スイッチング速度が高速であるにもかかわらず、GaN FETがMOSFETsよりもEMI雑音の発生が小さい理由を示します。

ePower™ Stage:電力変換を再定義する

ePower™ Stage:電力変換を再定義する
3 16 2020

GaN技術は、性能とコストの改善だけでなく、電力変換市場に影響を与える最も重要な機会は、同じ基板上に複数のデバイスを集積する本質的な能力にあります。標準的なシリコンIC技術とは対照的に、GaN技術を使うと、モノリシックのパワー・システムを、より簡単でコスト効率の高い方法でワン・チップに集積できます。

eGaN FETとICが手術用ロボットの精密な制御を可能に

eGaN FETとICが手術用ロボットの精密な制御を可能に
11 14 2018

手術用ロボットを使った最小限の侵襲的手術は、次のレベルの精度を実現しようとしている外科医に前例のない制御手段を提供し、それによって、患者へのリスクや外傷を減らし、回復を早めます。非常に繊細な作業を実行するために、手術用ロボットに必要な自由度(DOF:degrees of freedom)や器用さを与えるアーム、関節、ツール制御などのさまざまなロボットの付属品を制御するために多くのモーターが必要になります。モーター制御回路の重さや大きさは、手術中にロボットの付属品を操作するモーターの大きさに直接影響するため、このようなロボットの設計では重要な要素になります。

驚異的な新技術、GaNベースのパワー・システム・ソリューションに関するユーザーの声

驚異的な新技術、GaNベースのパワー・システム・ソリューションに関するユーザーの声
7 24 2018

エンハンスメント・モードGaNパワー・デバイス(eGaN® FETとIC)は、ユーザーが最終製品を差異化するための道を拓きます。この新技術は、小型機器や電子機器に給電するために、常に存在する電源回路や電力分配回路の効率を大幅に向上させます。

アメリカのセールス・マネージャとして、私は、優れた新しいビジョンを創り出すためにユーザーと協力するという羨ましがられる立場に立っており、彼らは、引き続き市場をリードし、エネルギー消費を削減して消費電力を最適化することに貢献しています。

新しい技術やアプローチを導入するパワー・システムの設計は常に、好奇心と評価で満ちています。ユーザーは常に、新技術の属性と実装に関して、最も根本的で遠大な質問をします。 したがって、私が受けた最も一般的な質問を文書化することは、GaN技術の使用がこの過渡的な技術を、自信を持って採用するための道を開くと考えている人の助けになるだろうと考えました。

GaNを追い越し車線に駆り出す

GaNを追い越し車線に駆り出す
6 12 2018

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。

最近、同社は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。

当社には、LiDAR(センサー)用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。

Four Ways GaN Technology Helps Save the Planet

Four Ways GaN Technology Helps Save the Planet
4 11 2017

Gallium nitride (GaN) is a better semiconductor than silicon. There are many crystals that are better than silicon, but the problem has always been that they are far too expensive to be used in every application where silicon is used. But, GaN can be grown as an inexpensive thin layer on top of a standard silicon wafer enabling devices that are faster, smaller, more efficient, and less costly than their aging silicon counterparts.

2017年の私の予測

2017年の私の予測
11 11 2016

2016年1月、私は、そのとき、来る年のいくつかの予測をしました。無線充電、拡張現実、自動運転車、医療診断やインターネット・アクセスの進歩など、新しい市場に対する予測をしました。これらの市場における進歩は、すべての面で、予想よりも、時にはより速く、時にはより遅くなりました。そして、ここで、私たちは、まさに新しい年を迎えようとしており、おそらく、愚かなことに、私は、再び未来を予測しようと思います。