GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 自動運転車
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GaNを追い越し車線に駆り出す

GaNを追い越し車線に駆り出す
6 12 2018

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。

最近、同社は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。

当社には、LiDAR(センサー)用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。

GaNが自動運転車用LiDAR(光による検出と距離の測定)の「D(距離)」を見積もるーー「自動運転車の視力」を強化

GaNが自動運転車用LiDAR(光による検出と距離の測定)の「D(距離)」を見積もるーー「自動運転車の視力」を強化
12 06 2017

そのクルマを見ましたか? その屋根上の鹿の角のように見えるものは何でしょう? ほとんどの人は、公道に関してナビゲートしている自動運転車を見逃すことはないでしょう。ほとんどの人が知っている大抵の自動運転車には、クルマの周囲の情報を知らせる重要な機能を果たす無数のセンサー、カメラ、さらにはレーザーでさえも装備されています。これらのセンサーやカメラは、安全運転のために重要な歩行者、自転車に乗っている人、車線、道路標識、照明、道路の三角コーンや、その他の視覚的な詳細を識別する1つの手段です。

LASER Safety in a LiDAR World

LASER Safety in a LiDAR World
6 05 2017

This post was originally published on Velodyne LiDAR’s “360” Blog. Learn more about eGaN technology here and EPC GaN solutions for LiDAR here.

Have you ever been driving at night—perhaps on a twisty two-lane highway—when the headlights of an oncoming car seemingly “crash” into your retinas? Blue-tinged LED beams leap out from behind a curve, or crest over a hillside, and for an instant it feels like you may have gone blind. Your vision erupts with a painful jolt of white. You squint through patchy discolorations trying to locate the lane lines. A quick flip of your high beams results in an even brighter display from the oncoming car. And now there are two drivers swerving past one another who couldn’t read the top line at the eye doctor.

As nighttime images of the earth from the International Space Station confirm, ours is an increasingly illuminated world. And LEDs, or light emitting diodes, supply a cheap and efficient means for broad illumination, not just for vehicles but increasingly for street lighting. Yet some types of LEDs have recently raised concerns of associated health risks.

Four Ways GaN Technology Helps Save the Planet

Four Ways GaN Technology Helps Save the Planet
4 11 2017

Gallium nitride (GaN) is a better semiconductor than silicon. There are many crystals that are better than silicon, but the problem has always been that they are far too expensive to be used in every application where silicon is used. But, GaN can be grown as an inexpensive thin layer on top of a standard silicon wafer enabling devices that are faster, smaller, more efficient, and less costly than their aging silicon counterparts.

See, Learn, and Discuss eGaN Technology at CES 2017

See, Learn, and Discuss eGaN Technology at CES 2017
12 04 2016

Every year in January 2017, the world’s consumer electronics community gathers in Las Vegas at the Consumer Electronics Show (CES) to see, learn and discuss the latest innovations and products available in the world of electronics.

More than 3,800 exhibitors spread out across 2.47 million net square feet of exhibit space, is the location where over 170,000 industry professionals, 50,000 outside of the U.S. wander, ogle, and “play with” the latest electronic devices.

2017年の私の予測

2017年の私の予測
11 11 2016

2016年1月、私は、そのとき、来る年のいくつかの予測をしました。無線充電、拡張現実、自動運転車、医療診断やインターネット・アクセスの進歩など、新しい市場に対する予測をしました。これらの市場における進歩は、すべての面で、予想よりも、時にはより速く、時にはより遅くなりました。そして、ここで、私たちは、まさに新しい年を迎えようとしており、おそらく、愚かなことに、私は、再び未来を予測しようと思います。

GaN Technology for the Connected Car

GaN Technology for the Connected Car
9 29 2016

GaN technology is disruptive, in the best sense of the word, making possible what was once thought to be impossible – eGaN® technology is 10 times faster, significantly smaller, and with higher performance at costs comparable to silicon-based MOSFETs. The inevitability of GaN displacing the aging power MOSFET is becoming clearer with domination of most existing applications and enabling new ones.

Revisiting What It Takes for a New Semiconductor Technology to be Disruptive

Revisiting What It Takes for a New Semiconductor Technology to be Disruptive
6 02 2016

In March 2010 Efficient Power Conversion (EPC) proudly launched our GaN technology at the CIPS conference in Nuremberg, Germany.  Parts and development kits were readily available off-the shelf and therefore designers could immediately get started with a new state-of-the-art semiconductor technology.

At that time, we listed four key attributes we believed a new semiconductor technology needed in order to be really disruptive to the end markets.  A lot has happened in the six years since.  GaN has continued to ascend as the presumptive replacement for the aging power MOSFET, yet there are still a few design engineers and technical managers that remain skeptical.  So let’s look again at these four key attributes and see where GaN stands in addressing them.