GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 宇宙
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2020年、GaNと共に新年

2020年、GaNと共に新年
1 02 2020

EPCの親愛なる友人、同僚、パートナ様

みなさま、および、ご家族のみなさま、EPCの全社員より、謹んで新春のお慶びを申し上げます!

2019年は、EPCのGaNの革新と、成果を上げたGaNの複数のユース・ケースで記憶に残る年でした。EPCの最新世代のGaN製品は、オン抵抗RDS(on)が低く、効率が高く、熱特性が向上し、小型で低コストであるため、パワー段の優位性を強化することができました。現在、これまで以上に、パワー・システムの設計者は、シリコン・デバイスから高性能のGaN部品に切り替えています。

Revisiting What It Takes for a New Semiconductor Technology to be Disruptive

Revisiting What It Takes for a New Semiconductor Technology to be Disruptive
6 02 2016

In March 2010 Efficient Power Conversion (EPC) proudly launched our GaN technology at the CIPS conference in Nuremberg, Germany.  Parts and development kits were readily available off-the shelf and therefore designers could immediately get started with a new state-of-the-art semiconductor technology.

At that time, we listed four key attributes we believed a new semiconductor technology needed in order to be really disruptive to the end markets.  A lot has happened in the six years since.  GaN has continued to ascend as the presumptive replacement for the aging power MOSFET, yet there are still a few design engineers and technical managers that remain skeptical.  So let’s look again at these four key attributes and see where GaN stands in addressing them.