GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: MOSFET
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New 100 V eGaN Devices Increase Benchmark Performance Over the Aging Silicon Power MOSFET

New 100 V eGaN Devices Increase Benchmark Performance Over the Aging Silicon Power MOSFET
9 22 2020

Efficient Power Conversion (EPC) is increasing the performance distance between the aging silicon power MOSFET and eGaN transistors with 100 V ratings.  The new fifth-generation “plus” devices have about 20% lower RDS(on) and increased DC ratings compared with the prior fifth-generation products.  This performance boost comes from the addition of a thick metal layer and a conversion from solder balls to solder bars.

新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です

新しい耐圧200 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETに比べて性能が2倍です
8 21 2020

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格200 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaN®トランジスタの間の性能の差を2倍にしています。新しい第5世代デバイスのサイズは、前世代の約半分です。この性能向上は、図1に示すように、2つの主な設計上の違いによります。左側は、第4世代の200 Vのエンハンスメント・モードGaNオン・シリコンの構造の断面図です。右側の断面図は、第5世代の構造で、ゲート電極とソース電極との間の距離を短くし、厚い金属層が追加されています。これらの改善に加えて、示されていない他の多くの改善によって、新世代FETの性能は2倍になりました。

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!
5 19 2020

GaN FETは、Si MOSFETに比べて非常に高速にスイッチングできるため、多くのシステム設計者は、スイッチング速度の高速化がEMI(電磁干渉雑音にどのように影響するかを気にします。

このブログでは、eGaN® FETを使ってスイッチング・コンバータ・システムを設計するときに考慮すべき簡単な軽減手法について説明し、スイッチング速度が高速であるにもかかわらず、GaN FETがMOSFETsよりもEMI雑音の発生が小さい理由を示します。

GaN-on-Silicon Power Devices: How to Dislodge Silicon-Based Power MOSFETs

GaN-on-Silicon Power Devices: How to Dislodge Silicon-Based Power MOSFETs
5 04 2017

Gallium nitride (GaN) power transistors designed for efficient power conversion have been in production for seven years. New markets, such as light detection and ranging, envelope tracking, and wireless charging, have emerged due to the superior switching speed of GaN. These markets have enabled GaN products to achieve significant volumes, low production costs, and an enviable reliability reputation. All of this provides adequate incentive for the more conservative design engineers in applications such as dc–dc converters, ac–dc converters, and automotive to start their evaluation process. So what are the remaining barriers to the conversion of the US$12 billion silicon power metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) market? In a word: confidence. Design engineers, manufacturing engineers, purchasing managers, and senior management all need to be confident that GaN will provide benefits that more than offset the risk of adopting a new technology. Let’s look at three key risk factors: supply chain risk, cost risk, and reliability risk.