GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: GaN
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Intellectual Power Amplifier Module based on GaN FETs

Intellectual Power Amplifier Module based on GaN FETs
5 10 2021

Guest GaN Talk Blog by: Pavel Gurev, Sinftech Rus LLC

This article originally appeared in Bodo’s Power Systems April 2021

In the past few years, gallium-nitride (GaN) FETs have become more widespread in power electronics. Due to their outstanding characteristics, GaN FETs play an increasingly important role in miniaturization of the switching converters with very high-power densities exceeding 100 W / cm3 and more. The efficiency of converters based on GaN transistors can reach 99.5%. Due to the extension of the conversion frequency towards the MHz range, the magnetic components (chokes, transformers) also decrease in size significantly. However, designers face numerous challenges in implementing practical GaN transistor designs. The best family members are presented in wafer-level chip-scale package; the drivers are also quite miniature.

eToF™ Laser Driver ICs for Advanced Autonomy Lidar

eToF™ Laser Driver ICs for Advanced Autonomy Lidar
3 22 2021

Co-written by Steve Colino

Laser drivers for light distancing and ranging (lidar) are used in a pulsed-power mode. What are the basic requirements for these laser drivers?

A new family of integrated laser driver ICs meets all these requirements.  The first release, the EPC21601 laser driver IC, integrates a 40 V, 10 A FET with integrated gate driver and 3.3 V logic level input in a single chip for time-of-flight (ToF) lidar systems used in robotics, surveillance systems, drones, autonomous cars, and vacuum cleaners. This chip offers frequency capability up to 200 MHz in a low inductance, economical, 1 mm x 1.5 mm BGA package.

Why GaN for DC-DC Space Designs

Why GaN for DC-DC Space Designs
3 03 2021

Power electronics engineers are constantly working towards designs with higher efficiency and higher power density while maintaining high reliability and minimizing cost. Advances in design techniques and improved component technologies enable engineers to consistently achieve these goals. Power semiconductors are at the heart of these designs and their improvements are vital to better performance. In this EPC space blog, we will demonstrate how GaN power semiconductors allow for innovation in the harsh radiation environments of space applications.

GaN power semiconductors offer designers in the high reliability market a sudden and significant improvement in electrical performance over their silicon power MOSFET predecessors. Table 1 compares radiation hardened GaN and Si power semiconductor device characteristics important for circuit designers to increase efficiency and power density in their converter.

How GaN is Revolutionizing Motor Drive Applications

How GaN is Revolutionizing Motor Drive Applications
2 09 2021

Rethinking the Ordinary and Overcoming Mental Biases

Motor drive applications span several markets: industrial, appliance, and automotive. A commonality that occurs regardless of market is that when a new technology is proposed, it faces resistance to its adoption; after all, it is human nature to stick with what is known and resist change.

新しい100 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETよりも、ベンチマーク性能が向上します

新しい100 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETよりも、ベンチマーク性能が向上します
9 22 2020

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格100 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaNトランジスタの間の性能の差を広げています。新しい第5世代「プラス」デバイスは、以前の第5世代製品と比べて、オン抵抗RDS(on)が約20%小さく、直流定格が高くなっています。この性能向上は、厚い金属層の追加と、はんだボールから、はんだバーへの変更によるものです。

なぜ宇宙にGaNなのか?

なぜ宇宙にGaNなのか?
6 28 2020

SEE耐性や耐放射線特性を強化し、パッケージ化されたエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・デバイスは、成熟した耐放射線シリコンMOSFETに比べて、性能が劇的に改善され、これまでにない高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙における新世代のパワー・コンバータを可能にします。

2020年、GaNと共に新年

2020年、GaNと共に新年
1 02 2020

EPCの親愛なる友人、同僚、パートナ様

みなさま、および、ご家族のみなさま、EPCの全社員より、謹んで新春のお慶びを申し上げます!

2019年は、EPCのGaNの革新と、成果を上げたGaNの複数のユース・ケースで記憶に残る年でした。EPCの最新世代のGaN製品は、オン抵抗RDS(on)が低く、効率が高く、熱特性が向上し、小型で低コストであるため、パワー段の優位性を強化することができました。現在、これまで以上に、パワー・システムの設計者は、シリコン・デバイスから高性能のGaN部品に切り替えています。

モーター駆動用GaNの力を活用する ―― サーボ駆動、ロボット、ドローン

モーター駆動用GaNの力を活用する ―― サーボ駆動、ロボット、ドローン
9 12 2019

モーター技術の進歩によって、電力密度が高くなりました。モーターは、より小さな形状で実現され、より高速で高精度な設計になっているので、より高い周波数が必要になります。

3相ブラシレスDC(BLDC)モーターは、出力定格の割に小型なので、正確に制御でき、高い電気機械効率を提供し、適切に制御された場合、最小限の振動で動作できます。これらのモーターは、サーボ駆動、外科ロボットなどのロボット、回転翼を4基搭載したドローンなどの精密な用途で、ますます、または排他的に使われています。電流リップルを適切な範囲内に維持するために、これらのモーターは、低いインダクタンスを考慮すると、最大100 kHzのスイッチング周波数が必要です。損失を最小限に抑えた上で、振動を発生させ、駆動精度を低下させ、効率を低下させるモーターのトルク・リップルを相殺するには、高周波で高効率に動作できるFETが必須です。