GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: GaN
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Why GaN in Space?

Why GaN in Space?
6 28 2020

Packaged SEE Immune and Radiation Hardened enhancement mode gallium nitride (eGaN) devices offer dramatically improved performance over the aging Rad Hard silicon MOSFET, enabling a new generation of power converters in space operating at higher frequencies, higher efficiencies, and greater power densities than ever achievable before.

2020年、GaNと共に新年

2020年、GaNと共に新年
1 02 2020

EPCの親愛なる友人、同僚、パートナ様

みなさま、および、ご家族のみなさま、EPCの全社員より、謹んで新春のお慶びを申し上げます!

2019年は、EPCのGaNの革新と、成果を上げたGaNの複数のユース・ケースで記憶に残る年でした。EPCの最新世代のGaN製品は、オン抵抗RDS(on)が低く、効率が高く、熱特性が向上し、小型で低コストであるため、パワー段の優位性を強化することができました。現在、これまで以上に、パワー・システムの設計者は、シリコン・デバイスから高性能のGaN部品に切り替えています。

モーター駆動用GaNの力を活用する ―― サーボ駆動、ロボット、ドローン

モーター駆動用GaNの力を活用する ―― サーボ駆動、ロボット、ドローン
9 12 2019

モーター技術の進歩によって、電力密度が高くなりました。モーターは、より小さな形状で実現され、より高速で高精度な設計になっているので、より高い周波数が必要になります。

3相ブラシレスDC(BLDC)モーターは、出力定格の割に小型なので、正確に制御でき、高い電気機械効率を提供し、適切に制御された場合、最小限の振動で動作できます。これらのモーターは、サーボ駆動、外科ロボットなどのロボット、回転翼を4基搭載したドローンなどの精密な用途で、ますます、または排他的に使われています。電流リップルを適切な範囲内に維持するために、これらのモーターは、低いインダクタンスを考慮すると、最大100 kHzのスイッチング周波数が必要です。損失を最小限に抑えた上で、振動を発生させ、駆動精度を低下させ、効率を低下させるモーターのトルク・リップルを相殺するには、高周波で高効率に動作できるFETが必須です。

eGaN FET電力変換向けに拡大するエコシステム

eGaN FET電力変換向けに拡大するエコシステム
5 18 2019

eGaN® FETベースの電力変換システムは、Siベースの代替品に比べて、高効率化、高電力密度化、全体的なシステム・コストの削減が可能です。これらの優れた性能によって、ゲート・ドライバ、コントローラ、特にeGaN FETの性能を向上させる受動部品など、パワー・エレクトロニクス部品のエコシステムがますます拡大しています。eGaN FETの例を図1に示します。

eGaN FETを使った48 V入力、6 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る方法

eGaN FETを使った48 V入力、6 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る方法
3 12 2019

コンピュータや電気通信の市場の急速な拡大によって、中間バス・コンバータ向けに、これまで以上に小型、高効率、高電力密度のソリューションが求められています。LLC共振コンバータは、高電力密度と高効率のソリューションを提供するための優れた候補です。非常に小さいオン抵抗と寄生容量を備えた eGaN® FETは、Si MOSFETを使うときに困難だった大幅な損失低減によってLLC共振コンバータを高性能化します。EPC2053やEPC2023などのeGaN FETを採用した48 V入力、6 V出力の900 W、1 MHz動作の LLC DC-DCトランス(DCX)・コンバータがデモされ、比電力48 W / cm2(308 W / 平方インチ)、電力密度69 W / cm3(1133 W / 立方インチ)でピーク効率98.1%が得られています。

CESはイノベーションの世界的な舞台です

CESはイノベーションの世界的な舞台です
12 30 2018

1970年の最初のビデオ・テープ・レコーダ(VTR)から無線で充電できる世界初のノート・パソコンまで、世界を変える革新は、世界中のイノベーションが集まる場所CESで発表されました。

ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法

ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法
12 14 2018

eGaN® FETとICは、小型、超高速スイッチング、低オン抵抗という特徴によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータを設計できます。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限している要因は接合部温度であり、より効果的な熱設計が求められます。eGaN のチップスケール・パッケージは、チップの上面、下面、および側面から効果的に熱を逃がし、6面冷却を実現できます。このアプリケーション・ノートでは、eGaN ベース・コンバータの出力電流能力を高めるための高性能の熱ソリューションを紹介します。