GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: データーセンター
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エネルギー需要とコストが増大するにつれてパワー・チェーンの選択肢として浮上するGaN

エネルギー需要とコストが増大するにつれてパワー・チェーンの選択肢として浮上するGaN
11 29 2018

このブログは、もともとData Center Frontier のウエブサイトに2018年11月5日にBill Kleyman氏によって公開されましたデータセンター向けのeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細をご覧ください。

eGaN FETベースのパワー段を最適なレイアウトで設計する方法

eGaN FETベースのパワー段を最適なレイアウトで設計する方法
10 24 2018

動機

eGaN® FETは、Si MOSFETよりもはるかに高速にスイッチングできるので、寄生インダクタンスを最小限に抑えるために、プリント回路基板のレイアウト設計に細心の注意を払わなければなりません。寄生インダクタンスによって、オーバーシュート電圧が大きくなり、スイッチングの遷移が遅くなります。このアプリケーション・ノートでは、これらの不要な影響を避け、コンバータの特性を最大限に引き出すために、eGaN FETを使って最適なパワー段のレイアウトを設計するための鍵となるステップについて検討します。

スイッチング動作への寄生インダクタンスの影響

図1に示すように、3つの寄生インダクタンス、すなわち、1)パワー・ループのインダクタンス(Lloop)、2)ゲート・ループのインダクタンス(Lg)、3)共通ソースのインダクタンス(Ls)によって、スイッチング特性が制限されます。eGaN FETのチップスケール・パッケージは、トランジスタ内部のインダクタンスをかなり排除しているので、主な制限要因としてプリント回路基板が残ります。各寄生インダクタンスは、動的電流経路とその戻りループによって囲まれる領域全体にあります(WP009:特性への寄生容量の影響を参照)。

48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活
7 28 2017

この記事は、もともとPowerPulse.netのウエブサイトで2017年5月26日に公開されました:8 VからPOL(負荷点)へのeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細を知ることができます。

先週、ドイツのニュルンベルクで開催されたイベントPCIM Europeでは、主に展示フロアの外で、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが大きなトピックでした。米バイコーは、最新世代の48 Vダイレクト・ツー・チップのパワー部品を静かに見せていました。スウェーデンのEricsson Power ModulesEfficient Power Conversionは、48 Vから負荷への直接電力変換アーキテクチャの将来の設計が議論の焦点となる招待者専用の会議を実施しました。2017年末までに、48 Vから1 Vへの直接変換を実現するDC- DCコンバータを製品化するベンダーもあります。