GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
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11 03, 2020

200 VのeGaN® FETを使って、高効率、2.5 kW、汎用入力電圧範囲、力率補正(PFC)の400 Vの整流器を設計する方法

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

謝辞:このアプリケーション・ノートと関連ハードウエアは、米テキサス大学オースティン校のSemiconductor Power Electronics Center(SPEC)と共同で開発されました。

動機

クラウド・コンピューティング、ウエアラブル、機械学習、自動運転、すべてのモノがインターネットにつながるIoTなどのアプリケーションの拡大によって、データ集約型の世界へと私たちを駆り立て、データセンターと電力消費に対する需要が増大しています [1,2]。交流から直流へのスイッチング電源の効率、電力密度、コストの重要性は、eGaN FETが超高効率力率補正(PFC)のフロントエンド整流器ソリューションを可能にして解決できる革新的なソリューションを牽引し、これに焦点を当てたアプリケーション・ノートHow2AppNoteもあります。