GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 効率
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9 22, 2020

新しい100 VのeGaNデバイスは、成熟したシリコン・パワーMOSFETよりも、ベンチマーク性能が向上します

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

Efficient Power Conversion(EPC)は、定格100 Vの成熟したシリコン・パワーMOSFETとeGaNトランジスタの間の性能の差を広げています。新しい第5世代「プラス」デバイスは、以前の第5世代製品と比べて、オン抵抗RDS(on)が約20%小さく、直流定格が高くなっています。この性能向上は、厚い金属層の追加と、はんだボールから、はんだバーへの変更によるものです。