GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: バック・コンバータ
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2 22, 2024

Why you shouldn’t use Rds(on) to select and compare devices in switching power converters

Andrea Gorgerino, Director of Global Field Application Engineering

Learn why RDS(ON) shouldn't be your main criteria for selecting switching devices. EPC's insights reveal a more effective approach for evaluating GaN FETs.

8 17, 2021

開発基板からバック・コンバータへ

Mark Gurries, Field Applications Engineer

EPCの開発基板は、一般的なアプリケーションにおいて、eGaN® FETとICを評価する機会を提供します。例えば、ハーフブリッジ開発基板のEPC9094は、バック(降圧型)・コンバータまたはブースト(昇圧型)・コンバータとして構成できます。EPC9094は、新しく製品化された面積1.3×1.3 mm、2×2ピンのWLCSP(ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ)に収めた耐圧200 V、最大オン抵抗43 mΩのeGaN FETであるEPC2054を搭載しています。この非常に小さいFETの非常に低いオン抵抗RDS(on) 値によって、高電圧電源からの大電流負荷をサポートできます。この能力を実証するために、開発基板のEPC9094をバック・コンバータに変更します。140 V電源を使ったSpiceシミュレーションでは、2.5 A、28 V出力で90%の高効率が得られることを示しています。米ビシェイ・インターテクノロジーの33 µH、4.4 A、最大95 mΩ、10.2×10.8×4 mmのコイルIHLP-4040DZET330M11を選択すると、500 kHzでリップルは40%になるでしょう。出力コンデンサは、4個の10 µFのセラミック・コンデンサY5V 50V 1210で構成しました。このシミュレーションでは、スイッチング周波数を500 kHzと375 kHzの間で変えた場合、リップル電流と全体的な効率のトレードオフが示されました。このシミュレーションは、デッドタイムを調整して、ハイ・レベルからロー・レベルへの完全なZVS(ゼロ電圧スイッチング)遷移を可能にすることで、バック・コンバータの軽負荷時の効率が最大化されることを示しました。