GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: LED照明
2 post(s) found

4 03, 2019

eGaN FETを使った48 V入力、12 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

コンピュータや電気通信の市場の急速な拡大によって、中間バス・コンバータ向けに、これまで以上に小型、高効率、高電力密度のソリューションが求められています。LLC共振コンバータは、高電力密度と高効率のソリューションを提供するための優れた候補です。非常に小さい低オン抵抗と寄生容量を備えたeGaN® FETsは、Si MOSFETを使うときに困難だった大幅な損失低減によってLLC共振コンバータに貢献します。EPC2053やEPC2024などのeGaN FETを採用した48 V入力、12 V出力の900 W、1 MHz動作の LLC DC-DCトランス(DCX)・コンバータがデモされ、電力密度1500 W / 立方インチ以上でピーク効率98.4%が得られています。

4 07, 2017

GaN applications: The next step in power management growth

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

This post was written by EDN senior technical editor, Steve Taranovich for the Power-management Design Center , How To Article section on APEC 2017. Originally published on April 03, 2017.”