GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: DC-DCコンバータ
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6 11, 2019

GaNを使った高効率、高電力密度のパワー・ソリューションの設計

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

この記事は、もともとM. Di Paolo Emilio氏が米Power Electronic Newsのウエブ・サイトに公開したものです。

4 24, 2019

最新世代の100 VのeGaN FETを使って、最も小型で、最も費用対効果が高く、最も効率が高い48 V入力、5~12 V出力の非絶縁型DC-DCコンバータを構築

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

新たに出現したコンピューティング・アプリケーションは、はるかに小型でより多くの電力を必要とします。サーバー市場のニーズの拡大に加えて、最も困難なアプリケーションには、マルチユーザー・ゲーム・システム、自動運転車、人工知能などがあります。これらの用途は、プロセッサに近接したマザー・ボード上に詰め込めるDC−DCコンバータに対する需要を生み出しています。

4 03, 2019

eGaN FETを使った48 V入力、12 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

コンピュータや電気通信の市場の急速な拡大によって、中間バス・コンバータ向けに、これまで以上に小型、高効率、高電力密度のソリューションが求められています。LLC共振コンバータは、高電力密度と高効率のソリューションを提供するための優れた候補です。非常に小さい低オン抵抗と寄生容量を備えたeGaN® FETsは、Si MOSFETを使うときに困難だった大幅な損失低減によってLLC共振コンバータに貢献します。EPC2053やEPC2024などのeGaN FETを採用した48 V入力、12 V出力の900 W、1 MHz動作の LLC DC-DCトランス(DCX)・コンバータがデモされ、電力密度1500 W / 立方インチ以上でピーク効率98.4%が得られています。

12 14, 2018

ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

eGaN® FETとICは、小型、超高速スイッチング、低オン抵抗という特徴によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータを設計できます。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限している要因は接合部温度であり、より効果的な熱設計が求められます。eGaN のチップスケール・パッケージは、チップの上面、下面、および側面から効果的に熱を逃がし、6面冷却を実現できます。このアプリケーション・ノートでは、eGaN ベース・コンバータの出力電流能力を高めるための高性能の熱ソリューションを紹介します。

10 07, 2018

効率95%で48 V入力、1 V / 10 A出力のVRMハイブリッド・コンバータ

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

Gab-Su Seo1,2、Ratul Das1、and Hanh-Phuc Le1
1米コロラド大学のDepartment of Electrical, Computer, and Energy Engineering
2米国コロラドの国立再生可能エネルギー研究所のPower Systems Engineering Center

クラウド・コンピューティングやビッグデータ処理への需要が劇的に増加していることから、米国のデータセンターの電力消費量は、2020年までに730億kWhに達すると予測されています [1]。これは、米国全体の電力消費量の約10%を占めます。この消費の大部分は、非効率な電力供給アーキテクチャによる損失によって引き起こされ、改善のために大きな注意を払わなければなりません [2],[3]。

2 28, 2018

APEC 2018:パワー・エレクトロニクスの世界におけるGaN革命

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

世界で最小、最高効率、最低コストのDC-DCコンバータをご覧ください!eGaN技術がこれを可能にし、今年のAPECAmerican Power Engineering Conference)で展示する予定です。APECでは、世界中のパワーのエンジニアが集まり、パワー・エレクトロニクスの世界で利用可能な最新の革新や製品について見たり、学んだりできます。

EPCのGaNのエキスパートたちは、GaN技術の最新について、および、最先端パワー・エレクトロニクスへの応用について、半日の教育セミナーを開催します。さらに、EPCは6件の技術セッションを実施し、当社のブースや顧客用スイートでeGaNのアプリケーションをデモします。

7 28, 2017

48 Vから1 Vへの変換:ダイレクト・ツー・チップ電源の復活

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

この記事は、もともとPowerPulse.netのウエブサイトで2017年5月26日に公開されました:8 VからPOL(負荷点)へのeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細を知ることができます。

先週、ドイツのニュルンベルクで開催されたイベントPCIM Europeでは、主に展示フロアの外で、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが大きなトピックでした。米バイコーは、最新世代の48 Vダイレクト・ツー・チップのパワー部品を静かに見せていました。スウェーデンのEricsson Power ModulesEfficient Power Conversionは、48 Vから負荷への直接電力変換アーキテクチャの将来の設計が議論の焦点となる招待者専用の会議を実施しました。2017年末までに、48 Vから1 Vへの直接変換を実現するDC- DCコンバータを製品化するベンダーもあります。

7 26, 2016

Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World: Getting from 48 Vin – 1 Vout Directly

David Reusch, Ph.D., Principal Scientist, VPT

The demand by our society for information is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the internet of things (IoT), this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data centers.