GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 自動車
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4 03, 2019

eGaN FETを使った48 V入力、12 V出力の900 W小型LLC共振コンバータで98%以上の効率を得る

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

コンピュータや電気通信の市場の急速な拡大によって、中間バス・コンバータ向けに、これまで以上に小型、高効率、高電力密度のソリューションが求められています。LLC共振コンバータは、高電力密度と高効率のソリューションを提供するための優れた候補です。非常に小さい低オン抵抗と寄生容量を備えたeGaN® FETsは、Si MOSFETを使うときに困難だった大幅な損失低減によってLLC共振コンバータに貢献します。EPC2053やEPC2024などのeGaN FETを採用した48 V入力、12 V出力の900 W、1 MHz動作の LLC DC-DCトランス(DCX)・コンバータがデモされ、電力密度1500 W / 立方インチ以上でピーク効率98.4%が得られています。

12 14, 2018

ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

eGaN® FETとICは、小型、超高速スイッチング、低オン抵抗という特徴によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータを設計できます。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限している要因は接合部温度であり、より効果的な熱設計が求められます。eGaN のチップスケール・パッケージは、チップの上面、下面、および側面から効果的に熱を逃がし、6面冷却を実現できます。このアプリケーション・ノートでは、eGaN ベース・コンバータの出力電流能力を高めるための高性能の熱ソリューションを紹介します。

7 24, 2018

驚異的な新技術、GaNベースのパワー・システム・ソリューションに関するユーザーの声

Andrea Mirenda, Vice President of Americas Sales

エンハンスメント・モードGaNパワー・デバイス(eGaN® FETとIC)は、ユーザーが最終製品を差異化するための道を拓きます。この新技術は、小型機器や電子機器に給電するために、常に存在する電源回路や電力分配回路の効率を大幅に向上させます。

アメリカのセールス・マネージャとして、私は、優れた新しいビジョンを創り出すためにユーザーと協力するという羨ましがられる立場に立っており、彼らは、引き続き市場をリードし、エネルギー消費を削減して消費電力を最適化することに貢献しています。

新しい技術やアプローチを導入するパワー・システムの設計は常に、好奇心と評価で満ちています。ユーザーは常に、新技術の属性と実装に関して、最も根本的で遠大な質問をします。 したがって、私が受けた最も一般的な質問を文書化することは、GaN技術の使用がこの過渡的な技術を、自信を持って採用するための道を開くと考えている人の助けになるだろうと考えました。

6 12, 2018

GaNを追い越し車線に駆り出す

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。

最近、同社は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。

当社には、LiDAR(センサー)用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。

5 01, 2018

eGaN技術がクルマに来る

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

この記事は、もともとBodoのPower Systemsのウエブサイトに2018年5月に掲載されました。自動車自動車向けeGaN技術とEPCのGaNソリューションに関する詳細をご覧ください。

4 07, 2017

GaN applications: The next step in power management growth

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

This post was written by EDN senior technical editor, Steve Taranovich for the Power-management Design Center , How To Article section on APEC 2017. Originally published on April 03, 2017.”

12 04, 2016

See, Learn, and Discuss eGaN Technology at CES 2017

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

Every year in January 2017, the world’s consumer electronics community gathers in Las Vegas at the Consumer Electronics Show (CES) to see, learn and discuss the latest innovations and products available in the world of electronics.

More than 3,800 exhibitors spread out across 2.47 million net square feet of exhibit space, is the location where over 170,000 industry professionals, 50,000 outside of the U.S. wander, ogle, and “play with” the latest electronic devices.

9 29, 2016

GaN Technology for the Connected Car

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

GaN technology is disruptive, in the best sense of the word, making possible what was once thought to be impossible – eGaN® technology is 10 times faster, significantly smaller, and with higher performance at costs comparable to silicon-based MOSFETs. The inevitability of GaN displacing the aging power MOSFET is becoming clearer with domination of most existing applications and enabling new ones.