Michael de RooijとAlana Nakataの共著、Efficient Power Conversion

以下で発表しました：PCIM Europe 2017; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of

ランド・グリッド・アレイ（LGA）、および／またはボール・グリッド・アレイ（BGA）の形態として、従来とは異なるチップスケール・パッケージ（CSP）に収めたeGaN FETは、さまざまなアプリケーションにわたって同等のMOSFETよりも電力密度と効率特性が高いというデモを繰り返し示されています [¹,²]。これらの特性改善は、不要な寄生要素を最小限に抑える適切なレイアウト方法が広範にわたって文書化されています[¹,³]。eGaN FETが市場に初めて投入されて以来7年間、フィールドで実際に使われた合計170億時間以上で、合計127個のデバイスの不具合がありました。そのうちの75個は、アセンブリ技術が不十分だったか、プリント回路基板の設計がうまくなかったことによるものでした [⁴]。設計者は、製造しやすさに影響するプリント回路基板の設計ルールにもっと精通しなければなりません。MOSFETに比べて、比較的サイズが小さいために許容度があまり大きくありません。この論文では、eGaN FETの性能を最大限に引き出すためのプリント回路基板設計のさまざまなガイドラインと、いまだに既存のプリント回路基板の製造能力に依存する信頼性について説明します。

あなたのことは知りませんが、私の家では、モバイル機器の使い道が増えると共に、機器の数も一晩で増えているように思えます。ある晩、あなたは、私のノート・パソコン上のウエブ会議ツールGoToMeetingの会議で、私を見つけるかもしれません。夫は、米国フロリダの父と、電話でインターネット電話Skypeのビデオ・チャットをしています。私の長男は、彼のノート・パソコンで教育サポート・アプリGoogle Classroomの課題を提出しています。次男はタブレット端末でストリーミング・ビデオを見ています。そして2年生は、彼のファブレット端末に動画作成配信アプリmusic.lyで録音して投稿しています。私たちが旅行するとき、これらの機器を持って行くので、持ち歩きやすいように十分に小型で軽くなければなりません！

電源コードが好きな人には、まだ会ったことがありません。

この記事は、もともとPowerPulse.netのウエブサイトで2017年5月26日に公開されました：8 VからPOL（負荷点）へのeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細を知ることができます。

先週、ドイツのニュルンベルクで開催されたイベントPCIM Europeでは、主に展示フロアの外で、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが大きなトピックでした。米バイコーは、最新世代の48 Vダイレクト・ツー・チップのパワー部品を静かに見せていました。スウェーデンのEricsson Power ModulesとEfficient Power Conversionは、48 Vから負荷への直接電力変換アーキテクチャの将来の設計が議論の焦点となる招待者専用の会議を実施しました。2017年末までに、48 Vから1 Vへの直接変換を実現するDC- DCコンバータを製品化するベンダーもあります。

Gallium nitride (GaN) power transistors designed for efficient power conversion have been in production for seven years. New markets, such as light detection and ranging, envelope tracking, and wireless charging, have emerged due to the superior switching speed of GaN. These markets have enabled GaN products to achieve significant volumes, low production costs, and an enviable reliability reputation. All of this provides adequate incentive for the more conservative design engineers in applications such as dc–dc converters, ac–dc converters, and automotive to start their evaluation process. So what are the remaining barriers to the conversion of the US$12 billion silicon power metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) market? In a word: confidence. Design engineers, manufacturing engineers, purchasing managers, and senior management all need to be confident that GaN will provide benefits that more than offset the risk of adopting a new technology. Let’s look at three key risk factors: supply chain risk, cost risk, and reliability risk.

This post was originally published on TI’s TI E2E Community “Power House” Blog. Learn more about eGaN technology here and EPC GaN solutions here.

Televisions can get their content wirelessly, but there is one set of wires they still need: those in their power cord. The consumer electronics industry has floated ideas for freeing TVs from their power cords, but this goal remains elusive. There are several reasons, such as the difficultly of meeting high-power requirements for large-screen TVs and the need for identifying an economical technology. Nevertheless, eGaN FETs could play a role in making TVs truly cordless devices.