Learn about what key factors you should consider when selecting a GaN gate driver. Make the best choice for your power electronics design here.

eGaN® FETベースの電力変換システムは、Siベースの代替品に比べて、高効率化、高電力密度化、全体的なシステム・コストの削減が可能です。これらの優れた性能によって、ゲート・ドライバ、コントローラ、特にeGaN FETの性能を向上させる受動部品など、パワー・エレクトロニクス部品のエコシステムがますます拡大しています。eGaN FETの例を図1に示します。

電力変換の周波数を高めることには多くの理由があります。基本的に、これらの理由は、大きさ／重さの削減、およびコスト削減に帰着します。スイッチング周波数を高めるという目標に加えて、高効率に動作しなければならない電源システムには、いくつかの部品があります。これらには、パワー・スイッチ、パワー・スイッチのドライバ、コントローラ、磁気部品、およびコンデンサなどがあります。総称して、これらの部品は、高周波の電力変換エコシステム（全体の特性をどのように高めていくかの生態系）を表します。これらの要素のどれかがなければ、周波数を高める利点は、完全には実現できません。

あなたのことは知りませんが、私の家では、モバイル機器の使い道が増えると共に、機器の数も一晩で増えているように思えます。ある晩、あなたは、私のノート・パソコン上のウエブ会議ツールGoToMeetingの会議で、私を見つけるかもしれません。夫は、米国フロリダの父と、電話でインターネット電話Skypeのビデオ・チャットをしています。私の長男は、彼のノート・パソコンで教育サポート・アプリGoogle Classroomの課題を提出しています。次男はタブレット端末でストリーミング・ビデオを見ています。そして2年生は、彼のファブレット端末に動画作成配信アプリmusic.lyで録音して投稿しています。私たちが旅行するとき、これらの機器を持って行くので、持ち歩きやすいように十分に小型で軽くなければなりません！