GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: IC
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11 14, 2023

Selecting the Best GaN Gate Driver

Chang-Woo Ryu, Senior FAE, Korea

Learn about what key factors you should consider when selecting a GaN gate driver. Make the best choice for your power electronics design here.

1 28, 2023

GaNパワーICで持続可能な未来への道

Renee Yawger, Director of Marketing

持続可能なエネルギーは、今日の世界において極めて重要なニーズです。発展途上国は、産業を支え、遠隔地の村に電力を供給するためのエネルギー・インフラの構築に苦労しています。同時に、工業化された国・地域は、環境への影響を減らしながら、より多くの電力を求めるという相反する要求のバランスを取ることに力を注いでいます。窒化ガリウム(GaN) ICは、電力密度を高め、効率を改善し、新しいアプリケーションを可能にするパワー・デバイスを設計者に提供します。世界的にエネルギー・コストが上昇しているため、GaNデバイスの採用率が劇的に加速していることは、驚くことではありません。

3 16, 2022

APEC 2022で、GaNが複数の業界で48 V革命をどのようにリードしているかをご覧ください

Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing

EPCがApplied Power Electronics Conference (APEC)のために米国ヒューストンに向かう準備は順調に進んでいます。このチームは、GaNの優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなどの多くの業界にわたって、電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを直接展示して、帰ってくることを楽しみにしています。

8 17, 2021

開発基板からバック・コンバータへ

Mark Gurries, Field Applications Engineer

EPCの開発基板は、一般的なアプリケーションにおいて、eGaN® FETとICを評価する機会を提供します。例えば、ハーフブリッジ開発基板のEPC9094は、バック(降圧型)・コンバータまたはブースト(昇圧型)・コンバータとして構成できます。EPC9094は、新しく製品化された面積1.3×1.3 mm、2×2ピンのWLCSP(ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ)に収めた耐圧200 V、最大オン抵抗43 mΩのeGaN FETであるEPC2054を搭載しています。この非常に小さいFETの非常に低いオン抵抗RDS(on) 値によって、高電圧電源からの大電流負荷をサポートできます。この能力を実証するために、開発基板のEPC9094をバック・コンバータに変更します。140 V電源を使ったSpiceシミュレーションでは、2.5 A、28 V出力で90%の高効率が得られることを示しています。米ビシェイ・インターテクノロジーの33 µH、4.4 A、最大95 mΩ、10.2×10.8×4 mmのコイルIHLP-4040DZET330M11を選択すると、500 kHzでリップルは40%になるでしょう。出力コンデンサは、4個の10 µFのセラミック・コンデンサY5V 50V 1210で構成しました。このシミュレーションでは、スイッチング周波数を500 kHzと375 kHzの間で変えた場合、リップル電流と全体的な効率のトレードオフが示されました。このシミュレーションは、デッドタイムを調整して、ハイ・レベルからロー・レベルへの完全なZVS(ゼロ電圧スイッチング)遷移を可能にすることで、バック・コンバータの軽負荷時の効率が最大化されることを示しました。

7 29, 2021

GaNで実現された高品質、低コストのオーディオ

Renee Yawger, Director of Marketing

最近まで、オーディオ・アンプで高品質のサウンドを実現するには、数1000米ドルの費用がかかり、大きくて重く、電力を大量に消費するA級アンプに依存していました。今、窒化ガリウムのFETとICの出現によって、高品質で低コストのD級オーディオ・アンプの時代が到来しています。

4 20, 2021

Lidar用1550 nmレーザーのパルス

Steve Colino, Vice President, Strategic Technical Sales

パルスLidar(光による検出と距離の測定)システムは通常、発光には波長905 nmまたは1550 nmのレーザーを使います。1400 nmを超えると、目のさまざまな要素が光を吸収するので、網膜に到達して損傷することを防げます。レーザー出力を上げると、すべてが吸収されるわけではなく、ある時点で網膜の損傷が発生する可能性があります。905 nmの光は吸収されないため、網膜に到達します。そのため、損傷を防ぐためにエネルギー密度を制限して使うように注意しなければなりません。

3 22, 2021

高度な自律Lidar向け eToF™レーザー・ドライバ IC

John Glaser , Ph.D., Director of Applications

Steve Colinoと共著

12 14, 2020

モノリシックGaNのePower Stageを使った48 Vと12 Vとの間の変換可能な双方向1/16ブリック・コンバータの設計方法

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

ブリックDC-DCコンバータは、データセンター電気通信自動車のアプリケーションで広く使われており、公称48 Vのバスを公称12 Vのバス(または12 Vから48 V)に変換します。GaN集積回路(IC)技術の進歩によって、ハーフブリッジとゲート・ドライバの集積化が可能になり、レイアウトが簡素化され、面積が最小化され、コストが削減されるワン・チップ・ソリューションが実現できました。

このアプリケーション・ノートでは、最大出力電力300 W、ピーク効率95%で、48 Vから12 Vへの変換用途向けに集積化したGaNパワー段を使ったデジタル制御の双方向1/16ブリック・コンバータの設計について説明します。

1/16ブリック・コンバータの面積の規格は33×22.9 mm(1.3×0.9インチ)です。この設計の高さ制限は10 mm(0.4インチ)に設定されています。

1 02, 2020

2020年、GaNと共に新年

Nick Cataldo, Senior Vice President for Global Sales and Marketing

EPCの親愛なる友人、同僚、パートナ様

みなさま、および、ご家族のみなさま、EPCの全社員より、謹んで新春のお慶びを申し上げます!

2019年は、EPCのGaNの革新と、成果を上げたGaNの複数のユース・ケースで記憶に残る年でした。EPCの最新世代のGaN製品は、オン抵抗RDS(on)が低く、効率が高く、熱特性が向上し、小型で低コストであるため、パワー段の優位性を強化することができました。現在、これまで以上に、パワー・システムの設計者は、シリコン・デバイスから高性能のGaN部品に切り替えています。

7 24, 2018

驚異的な新技術、GaNベースのパワー・システム・ソリューションに関するユーザーの声

Andrea Mirenda, Vice President of Americas Sales

エンハンスメント・モードGaNパワー・デバイス(eGaN® FETとIC)は、ユーザーが最終製品を差異化するための道を拓きます。この新技術は、小型機器や電子機器に給電するために、常に存在する電源回路や電力分配回路の効率を大幅に向上させます。

アメリカのセールス・マネージャとして、私は、優れた新しいビジョンを創り出すためにユーザーと協力するという羨ましがられる立場に立っており、彼らは、引き続き市場をリードし、エネルギー消費を削減して消費電力を最適化することに貢献しています。

新しい技術やアプローチを導入するパワー・システムの設計は常に、好奇心と評価で満ちています。ユーザーは常に、新技術の属性と実装に関して、最も根本的で遠大な質問をします。 したがって、私が受けた最も一般的な質問を文書化することは、GaN技術の使用がこの過渡的な技術を、自信を持って採用するための道を開くと考えている人の助けになるだろうと考えました。