GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: GaN
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11 14, 2023

Selecting the Best GaN Gate Driver

Chang-Woo Ryu, Senior FAE, Korea

Learn about what key factors you should consider when selecting a GaN gate driver. Make the best choice for your power electronics design here.

8 08, 2023

医療技術における窒化ガリウム(GaN)の可能性

Renee Yawger, Director of Marketing

医療技術産業には、病気や慢性疾患の予防、診断、治療を単純化する医療機器が含まれます。インドの調査会社Fortune Business Insightsによると世界の医療機器市場は、2022年の4954億6000万米ドルから、5.5%のCAGR(年平均成長率)で、2029年までに7189億2000万ドルに成長すると予測されています。

8 02, 2023

評価基板EPC9176を使って、より高効率な掃除機モーター用駆動インバータを設計するための新しいアプローチ

Marco Palma, Director of Motor Drives Systems and Applications

一般的な家電製品に新しい設計アプローチを適用することで、すべてのユーザーが日常生活でのエネルギー使用量の削減に貢献できます。EPCは、新しいデモ・ボードEPC9176を製品化しました。これは、より高効率で高性能な掃除機のモーターを対象とした3相BLDC モーター駆動用インバータです。

5 10, 2023

GaNスイッチング周波数:次世代高周波回路における窒化ガリウム技術の利用

Renee Yawger, Director of Marketing

窒化ガリウム(GaN)は、パワー・デバイスの生産に加え、RF部品や発光ダイオード(LED)の生産にも使われる非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。GaNのスイッチング周波数は、シリコンよりも大幅に高いので、パワー・エレクトロニクスの設計者は、シリコン技術で達成するためにこれまで挑戦していた、より小型、より高効率、より高性能なシステムを構成できるようになりました。

1 20, 2023

電動自転車やドローン向けのモーター駆動回路を小型化

Marco Palma, Director of Motor Drives Systems and Applications

GaNは、モーター駆動用途のゲーム・チェンジャ(流れを変えるもの)です。設計者がこの技術を活用するためには、迅速で信頼性高い製品化するまでの時間が重要です。最先端のエレクトロニクスと技術を利用した使いやすいリファレンス・デザインは、製品の市場投入までの時間を短縮する貴重なツールを提供します。このツールEPC9173を使うと電動自転車やドローンの設計者は、モーター・システムのサイズ、性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させると同時に、設計を簡素化して市場投入までの時間を短縮できます。

1 16, 2023

窒化ガリウム半導体に関する神話

Renee Yawger, Director of Marketing

窒化ガリウム(GaN)は、効率を高め、システムのサイズと重さを大幅に削減し、シリコンでは達成できなかったまったく新しいアプリケーションを可能にする技術として登場しました。では、なぜGaNについて多くの神話がいまだに広まっているのでしょうか、事実は何でしょうか?

GaNに関する非常に多くの誤った情報が残っている理由の1つは、既存のシリコン技術のサプライヤが、潜在的なGaNユーザーを思いとどまらせるために、信頼性の問題、設計上の課題、高い価格、信頼性の低いサプライ・チェーンなどの噂を含む脅迫戦術を使っていることです。

これらの攻撃にもかかわらず、GaNは、Lidar(光による検出と距離の測定)などのアプリケーションを可能にするだけでなく、データセンター車載用電子機器など、以前はシリコンMOSFETが支配的な地位を占めていた従来のアプリケーションにも受け入れられ続けています。この記事では、GaNに関する最も一般的な神話を暴き、GaN FETとGaN ICが電力変換で置換のサイクルをどのように生み出しているかを示します。

8 25, 2022

48 Vのマイルドハイブリッド電気自動車向けのGaN FETを備えた48 V/12 Vの間の2 kW双方向パワー・モジュールの設計方法

Tiziano Morganti, Senior Field Application Engineer at Efficient Power Conversion

環境への圧力によって、より新しく、よりクリーンで高効率な輸送オプションを迅速に採用したいという圧力がかかっています。2025年には、販売される自動車の10台に1台が、より燃費効率の高い48 Vのマイルドハイブリッドになると予想されています。これらのシステムには、電力範囲が1.5 kW~6 kWの48 Vと12 Vの間の双方向コンバータが必要になるでしょう。これらのシステムの設計上の優先事項は、サイズ、コスト、高い信頼性です。GaN電力変換ソリューションは、これらの新しいモデルで使われる48 Vと12 Vの間の双方向コンバータをサポートするために最適です。

8 04, 2022

優れた電力密度の窒化ガリウムFETを使って、240 Wで汎用交流入力を備えたUSB PD3.1 電源を設計

Cecilia Contenti, Vice President Of Strategic Marketing at Efficient Power Conversion

48 Vは、コンピューティングのデータセンターや、ラップトップ・パソコンなどの民生用電子機器の新しい標準としての採用が広がっています。新しいUSB PD3.1規格は、コネクタとケーブルの電流制限が5 Aの場合、USB電圧が48 Vに高まることで、全電力供給が最大240 Wに大きくなったことも一因となって、ラップトップ・パソコンに浸透しています。 新しいUSB PD規格を使う互換性のある電源は、高電力密度の必要性を後押しする小型形状のソリューションを実現するというプレッシャの増大に直面していますGaN FETの高速スイッチング速度と低オン抵抗RDSonは、電源を構成する複数の回路で、この課題に対処できます。

8 03, 2022

CEOコーナー:Alex Lidowは、GaNデバイスがシリコンよりもコストがかかるという神話を払拭します

Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder

去る2015年に、米オンライン・ニュースは、シリコンから引き継いだ窒化ガリウム・チップに関する記事を公開しました。その記事で私は、GaN FETはシリコンよりも高性能で、かつ低コストなので、窒化ガリウム・ベースのパワー半導体の広範な採用が可能であると主張しました。それでも、GaNがまだ、そのマイルストーンに到達していないという誤解が広まっています・・・これは誤った神話です。このブログで、この議論は定格400 V未満のデバイスに限定されているという注意と共に、この神話を払拭しようと試みます。これは、EPCのFETとIC製品のアプリケーションの焦点だからです。

5 07, 2022

パワー・エレクトロニクス・システム設計で信頼性を高め、市場投入までの時間を短縮するためにGaN FETのサーマル・カリキュレータを使う方法

Assaad El Helou, Senior Thermal/Mechanical Engineer, Applications Engineering

EPCのGaNのパワーFETやICなどの「置換」技術が製品化され、新しいレベルの性能が可能になるとき、あなたの設計をモデル化することで、回路の機能とニーズに対する快適さと洞察が得られます。このブログでは、「EPCのGaNパワー・ベンチ、オンライン・モデリング・ツールのライブラリ、EPCのGaN FETサーマル・カリキュレータ」といった最新の追加機能について説明します。

窒化ガリウム(GaN)パワー・デバイスは、成熟したシリコン・ベースのMOSFETとICに対するより高効率な代替品です。一言で言えば、GaNデバイスは小型で、スイッチングが速く、オン抵抗が小さいので、シリコンの同等品よりも高効率にできます。より高い効率とより低い損失であっても、すべての電子機器は、熱としていくらかの電力を放散します。EPCのGaN FETサーマル・カリキュレータは、あなたの設計がGaNパワー回路の特性の最高の値を実現し、レイアウトに取り組む前に、設計上の課題を軽減することに役立ちます。