GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
Term: 設計
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2 22, 2024

Why you shouldn’t use Rds(on) to select and compare devices in switching power converters

Andrea Gorgerino, Director of Global Field Application Engineering

Learn why RDS(ON) shouldn't be your main criteria for selecting switching devices. EPC's insights reveal a more effective approach for evaluating GaN FETs.

11 14, 2023

Selecting the Best GaN Gate Driver

Chang-Woo Ryu, Senior FAE, Korea

Learn about what key factors you should consider when selecting a GaN gate driver. Make the best choice for your power electronics design here.

5 07, 2022

パワー・エレクトロニクス・システム設計で信頼性を高め、市場投入までの時間を短縮するためにGaN FETのサーマル・カリキュレータを使う方法

Assaad El Helou, Senior Thermal/Mechanical Engineer, Applications Engineering

EPCのGaNのパワーFETやICなどの「置換」技術が製品化され、新しいレベルの性能が可能になるとき、あなたの設計をモデル化することで、回路の機能とニーズに対する快適さと洞察が得られます。このブログでは、「EPCのGaNパワー・ベンチ、オンライン・モデリング・ツールのライブラリ、EPCのGaN FETサーマル・カリキュレータ」といった最新の追加機能について説明します。

窒化ガリウム(GaN)パワー・デバイスは、成熟したシリコン・ベースのMOSFETとICに対するより高効率な代替品です。一言で言えば、GaNデバイスは小型で、スイッチングが速く、オン抵抗が小さいので、シリコンの同等品よりも高効率にできます。より高い効率とより低い損失であっても、すべての電子機器は、熱としていくらかの電力を放散します。EPCのGaN FETサーマル・カリキュレータは、あなたの設計がGaNパワー回路の特性の最高の値を実現し、レイアウトに取り組む前に、設計上の課題を軽減することに役立ちます。

5 19, 2020

eGaN FETは低EMI雑音のソリューションです!

Michael de Rooij, Ph.D., Vice President, Applications Engineering

GaN FETは、Si MOSFETに比べて非常に高速にスイッチングできるため、多くのシステム設計者は、スイッチング速度の高速化がEMI(電磁干渉雑音にどのように影響するかを気にします。

このブログでは、eGaN® FETを使ってスイッチング・コンバータ・システムを設計するときに考慮すべき簡単な軽減手法について説明し、スイッチング速度が高速であるにもかかわらず、GaN FETがMOSFETsよりもEMI雑音の発生が小さい理由を示します。