120 V、60 mΩでデュアルのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー集積回路EPC2110は、ワイヤレス・パワー伝送のE級アンプの用途において、超高速スイッチングの優れた特性を実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年9月11日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム集積回路ファミリーの最新製品「EPC2110」を発売しました。
EPC2110は、面積が1.35 mm×1.35 mmと小型のデュアル（共通ソース）のeGaN FETです。耐圧120 VDS、最大電流20 Aで、ゲートに5 Vを印加したときの最大オン抵抗RDS(on)は60 mΩ。このGaN集積回路は、超高速スイッチング、超低オン抵抗、非常に低いゲート電荷QGといった高性能化を実現し、非常に小型のパッケージで提供します。
EPC2110は、同程度のオン抵抗を備える最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、非常に小型で、スイッチング特性が何倍も優れています。このeGaN ICの特性が貢献する回路の用途には、超高速DC-DC変換、同期整流、D級オーディオ・アンプがあり、とりわけワイヤレス・パワー伝送では大きく貢献します。
米国での参考価格と購入方法EPC2110の1000個購入時の単価は、1.06米ドルで、Digi-Key社のウエブサイトで購入でき、即座に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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