高電圧サーバー電源における低電圧eGaN FETを使った電力密度の向上：パート1

このパート1の記事では、交流240 V電源の5 kWのトーテムポールPFC（力率改善）と直流400 Vから直流50 Vへの絶縁型LLCコンバータを例に、高電圧用途での低電圧GaNデバイスの使用について概要を説明します。性能指数FOM分析によって、低電圧デバイスを使うことで性能を大幅に向上できることが明らかになりました。磁気部品のサイズを小型化でき、EMI（電磁干渉）雑音フィルタの要件が軽減されるため、電力密度が向上するという利点があります。

独Bodo’s Power Systems
2025年3月

低電圧GaN：高電圧用途の電力供給：パート1