エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のパワー・トランジスタとICのリーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月6日、高性能DC-DCコンバータや同期整流器などの要求の厳しい用途で、従来の低電圧シリコンMOSFETを置き換えられるように設計した定格40 V、オン抵抗0.8 mΩのデバイス「EPC2366」を発売したと発表しました。
EPC2366は、業界最高水準のオン抵抗RDS(on) x QG)×ゲート電荷 QGの性能指数（10 mΩ·nC）、逆回復なし、優れた熱特性を備えており、高効率、高速スイッチング、高電力密度が得られ、3.3 mm×2.6 mmと小型のPQFNパッケージに封止しています。EPC2366は、AI（人口知能）サーバーやデータ通信向けの高密度48 Vコンバータ、高周波同期整流器、24 Vのバッテリー駆動のモーター駆動回路において、より高い周波数での動作とシステム・サイズの縮小を可能にします。
「EPC2366と、今後発売される低電圧部品によって、これまで長い間、シリコンが主流だった低電圧用途全体にわたってGaNの足場を広げていきます」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
入手方法
認定設計用のエンジニアリング・サンプルをご用意しています。あなたの用途については、 EPCまでお問い合わせください。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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報道関係の問い合わせ先
Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。